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반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법에 있어서,(a) 반도체의 표면에 제1 시드 메탈 층 및 제2 시드 메탈 층을 순차적으로 형성하는 단계와;(b) 상기 제2 시드 메탈 층 중 상기 도금 패턴이 형성될 영역 이외의 영역을 제거하여 상기 도금 패턴에 대응하는 제2 시드 메탈 패턴을 형성하는 단계와;(c) 상기 제1 시드 메탈 층 중 상기 제2 시드 메탈 패턴의 형성에 따라 외부로 노출된 영역의 표면이 산화되어 제1 시드 메탈 산화 패턴이 형성되는 단계와;(d) 상기 제2 시드 메탈 패턴의 상부 표면이 도금되어 상기 도금 패턴이 형성되는 단계와;(e) 상기 제1 시드 메탈 산화 패턴이 제거되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 시드 메탈 층은 티타늄(Ti) 재질로 형성되며;상기 제2 시드 메탈 층 및 상기 도금 패턴은 금(Au) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서,상기 (b) 단계는,(b1) 상기 제2 시드 메탈 층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와;(b2) 상기 도포된 포토레지스트를 마스크 패턴을 이용하여 노광 및 현상하여 상기 도금 패턴에 대응하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;(b3) 상기 포토레지스트 패턴에 따라 상기 제2 시드 메탈 층 중 외부로 노출된 영역을 제거하여 상기 제2 시드 메탈 패턴을 형성하는 단계와;(b4) 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법
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제3항에 있어서,상기 (b3) 단계에서 상기 제2 시드 메탈 층 중 외부로 노출된 영역은 에칭액을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 제1 시드 메탈 산화 패턴은 상기 제1 시드 메탈 층이 공기 중에 노출됨에 따라 산화되어 형성되며;상기 제1 시드 메탈 산화 패턴은 산화에 따라 도전성을 상실하는 것을 특징으로 하는 반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서,상기 (d) 단계는,(d1) 상기 제1 시드 메탈 산화 패턴 및 상기 제2 시드 메탈 패턴 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와;(d2) 상기 제2 시드 메탈 패턴이 외부로 노출되도록 상기 도포된 포토레지스트를 마스크 패턴을 통해 노광 및 현상하여 상기 제1 시드 메탈 산화 패턴 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;(d3) 상기 포토레지스트 패턴에 따라 외부로 노출된 상기 제2 시드 메탈 패턴의 상부 표면이 도금되어 상기 도금 패턴이 형성되는 단계와;(d4) 상기 포토레지스트 패턴이 제거되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법
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