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전자 터널링 배리어층을 갖는 고효율 반도체 광소자 구조 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015202421
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaN보다 에너지 밴드갭(Eg)이 큰 ETB층(Electron Tunneling Barrier: 전자 터널링 배리어층)을 N형 GaN층과 활성층인 MQW층(Multi Quantum Well: 다중 양자 우물층) 사이에 삽입하여 터널링 효과로 인한 MQW층에서의 전자와 홀(hole)의 비율을 맞추고 캐리어 범람현상을 감소시켜 기존의 EBL층(Electron Blocking Layer: 전자 차단층)을 사용하지 않아도 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시키며, EBL층이 필요 없기 때문에 홀 주입이 증가되어 효율을 더욱 높일 수 있는 고품질 반도체 광소자 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/06 (2014.01)
CPC H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01)
출원번호/일자 1020110079338 (2011.08.10)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1277653-0000 (2013.06.17)
공개번호/일자 10-2013-0017112 (2013.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20130704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남옥현 대한민국 서울특별시 강남구
2 이성훈 대한민국 전라북도 순창군
3 김민철 대한민국 서울특별시 영등포구
4 이경재 대한민국 충청남도 당진군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0616533-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0499467-19
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0876170-17
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0876171-52
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0176913-85
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 N형 질화물 반도체층 위에 AlxIn1-xN층(여기서, x는 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 ETB층은 Si, O, S, C, Ge, Zn, Cd, Mg 중 적어도 어느 하나 이상의 N형 도펀트로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기판으로 사파이어, GaN, SiC, AlN, ZnO, LiAlO2, 또는 LiGaO2 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
기판 상의 N형 질화물 반도체층;상기 N형 질화물 반도체층 위에 AlxIn1-xN층(여기서, x는 0
8 8
제7항에 있어서, 상기 반도체 광소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.