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플라즈마를 이용한 초소수성 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015202427
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 제1 형태의 기판 표면 처리 방법은, 반응성 이온 식각 장치(Reactive Ion Etcher) 플라즈마를 발생시키는 제1 단계와, 상기 플라즈마를 이용하여 기판 표면을 식각하여 기판 표면의 거칠기를 변화시키는 제2 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020110051816 (2011.05.31)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0133244 (2012.12.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.25)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창규 대한민국 인천광역시 연수구
2 박상준 대한민국 경기도 의왕시 전주남이길 *
3 김봉환 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백도현 대한민국 서울특별시 양천구 목동동로 ***, ****호 (목동, 현대**타워)(태울특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0406895-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0502813-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0129652-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0381824-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0381812-27
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0578525-39
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0751152-72
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번호 청구항
1 1
반응성 이온 식각 장치(Reactive Ion Etcher) 플라즈마를 발생시키는 제1 단계와,상기 플라즈마를 이용하여 기판 표면을 식각하여 기판 표면의 거칠기를 변화시키는 제2 단계를 포함하는,기판 표면 처리 방법
2 2
청구항 1에 있어서,식각되는 기판 표면이 피라미드 형상이 되도록 플라즈마 발생을 제어하는 제3 단계를 더 포함하는,기판 표면 처리 방법
3 3
플라즈마를 형성하여 소수성을 가지는 CFn 이온을 발생시키는 제1 단계와,상기 CFn 이온을 기판에 증착시키는 제2 단계를 포함하는,기판 표면 처리 방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 제1 단계는 DRIE(Deep Reactive Ion Etcher)의 보호막 형성 공정에 의해 수행되는,기판 표면 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.