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n형 질화물 반도체층; p형 질화물 반도체층; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하는 활성영역을 포함하고,상기 활성영역은 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 갖고,상기 n형 질화물 반도체층에 가장 가까운 제1 우물층은 서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하고,상기 서브 우물층은 상기 서브 장벽층에 비해 n형 반도체층에 가까이 위치하는 발광 다이오드
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n형 질화물 반도체층; p형 질화물 반도체층; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하는 활성영역을 포함하고,상기 활성영역은 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 갖고,상기 복수의 우물층은 상기 n형 질화물 반도체층에 가장 가까우며 서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하는 제1 우물층; 및 상기 제1 우물층 이외에 서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하는 다른 우물층을 포함하되, 상기 다른 우물층은 p형 반도체층보다 n형 반도체층에 더 가까운 발광 다이오드
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n형 질화물 반도체층; p형 질화물 반도체층; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하는 활성영역을 포함하고,상기 활성영역은 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 갖고,상기 n형 질화물 반도체층에 가장 가까운 제1 우물층은 서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하고,상기 제1 우물층은 적어도 두개의 서브 우물층들 및 상기 서브 우물층들 사이에 위치하는 서브 장벽층을 포함하고,상기 서브 우물층들 중 n형 반도체층에 가장 가까운 서브 우물층의 두께가 서브 장벽층 및 다른 서브 우물층들보다 더 두꺼운 발광 다이오드
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n형 질화물 반도체층; p형 질화물 반도체층; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하는 활성영역을 포함하고,상기 활성영역은 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 갖고,상기 n형 질화물 반도체층에 가장 가까운 제1 우물층은 서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하고,상기 제1 우물층은 두개의 서브 우물층들 및 상기 서브 우물층들 사이에 위치하는 서브 장벽층을 포함하고,상기 두개의 서브 우물층들 중 n형 반도체층에 가까운 서브 우물층에 비해 p형 반도체층에 가까운 서브 우물층의 밴드갭이 더 좁은 발광 다이오드
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n형 질화물 반도체층; p형 질화물 반도체층; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하는 활성영역을 포함하고,상기 활성영역은 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 갖고,상기 복수의 우물층은 상기 n형 질화물 반도체층에 가장 가까우며 서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하는 제1 우물층; 및 상기 제1 우물층 이외에 서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하는 다른 우물층을 포함하되,상기 제1 우물층은 적어도 두개의 서브 우물층들 및 상기 서브 우물층들 사이에 위치하는 서브 장벽층을 포함하고,상기 다른 우물층은 p형 반도체층보다 n형 반도체층에 더 가까운 발광 다이오드
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 서브 우물층은 상기 제1 우물층 이외의 다른 우물층들 중 적어도 어느 하나의 우물층의 밴드갭보다 좁은 밴드갭을 갖는 발광 다이오드
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청구항 6에 있어서,상기 서브 우물층은 p형 반도체층에 가장 가까운 마지막 우물층의 밴드갭보다 좁은 밴드갭을 갖는 발광 다이오드
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8
청구항 1 , 청구항 3 및 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,상기 서브 장벽층은 상기 제1 우물층 이외의 다른 우물층들 중 적어도 어느 하나의 우물층의 밴드갭과 동일하거나 더 넓은 밴드갭을 갖는 발광 다이오드
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청구항 6에 있어서,상기 서브 우물층은 상기 서브 장벽층보다 얇은 두께를 갖는 발광 다이오드
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 복수의 장벽층은 InGaN, GaN 또는 AlGaN으로 형성되고,상기 복수의 우물층은 InGaN, GaN 또는 AlGaN으로 형성된 발광 다이오드
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11
청구항 1, 청구항 3 및 청구항 4의 어느 한 항에 있어서,서브 우물층 및 서브 장벽층을 포함하는 다른 우물층을 더 포함하되, 상기 다른 우물층은 p형 반도체층보다 n형 반도체층에 더 가까운 발광 다이오드
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청구항 2 또는 청구항 5에 있어서,상기 서브 우물층들은 상기 제1 우물층 이외의 다른 우물층들 중 적어도 어느 하나의 우물층의 밴드갭보다 좁은 밴드갭을 갖는 발광 다이오드
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13
청구항 4에 있어서,상기 두개의 서브 우물층들 중 n형 반도체층에 가까운 서브 우물층에 비해 p형 반도체층에 가까운 서브 우물층의 In 함량이 더 많은 발광 다이오드
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청구항 4에 있어서,상기 두개의 서브 우물층들 중 n형 반도체층에 가까운 서브 우물층에 비해 p형 반도체층에 가까운 서브 우물층의 Al 함량이 더 적은 발광 다이오드
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청구항 3 내지 청구항 5의 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 장벽층들은 InGaN, GaN 또는 AlGaN을 포함하고,상기 복수의 우물층들은 InGaN, GaN 또는 AlGaN을 포함하는 발광 다이오드
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청구항 5에 있어서,상기 다른 우물층은 적어도 두개의 서브 우물층들 및 상기 서브 우물층들 사이에 위치하는 서브 장벽층을 포함하는 발광 다이오드
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