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템플레이트층 상에 반도체 소자 형성을 위한 기판의 제조 방법으로서, 기판 위에 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 질화물 반도체층 위에 소정의 물질로 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴을 이루는 막들 사이의 질화물 반도체층이 다공성으로 표면 개질되도록 상기 마스크 패턴 위에서 건식 식각하는 단계; 상기 건식 식각된 기판 상에 질화물 반도체층을 재성장하는 단계를 포함하여 템플레이트층을 형성하되, 상기 건식 식각이 공정 장비의 반응기 내로 공급되는 소정의 캐리어 가스 분위기에서 상기 반응기 내로 공급되는 HCl을 포함하는 식각 가스에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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템플레이트층 상에 반도체 소자 형성을 위한 기판의 제조 방법으로서, 기판 위에 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 질화물 반도체층 위에 소정의 물질로 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴이 형성된 기판 상에 다시 질화물 반도체층을 형성 후 다공성으로 표면 개질되도록 건식 식각하는 단계; 상기 건식 식각된 기판 상에 질화물 반도체층을 재성장하는 단계를 포함하여 템플레이트층을 형성하되, 상기 건식 식각이 공정 장비의 반응기 내로 공급되는 소정의 캐리어 가스 분위기에서 상기 반응기 내로 공급되는 HCl을 포함하는 식각 가스에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 마스크 패턴이 일정 간격으로 형성되며 두께가 10~1000nm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 금속 산화물로 이루어지고, 단면의 모양이 직사각형, 사다리꼴, 또는 삼각형을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,다공성으로 표면 개질하기 전의 각각의 상기 질화물 반도체층은, InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층, 무도핑 GaN층, n형 도핑된GaN층, 또는 p형 도핑된 GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판, SiC기판, 또는 Si기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판이 사파이어 기판인 경우에, 기판의 결정면 C-면, A-면, M-면, 또는 R-면 위에 상기 질화물 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 캐리어 가스는 H2, Ar, N2, 또는 다른 비활성 가스를 포함하고,상기 식각 가스로 포함되는 HCl와 NH3의 가스 공급비율이 3000:1~1:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 개질을 위한 온도 범위는 600~1200℃, 시간은 1~60분, 및 상기 반응기 내의 가스 압력은 0
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 개질에 의해 깊이 10nm~10㎛이고, 직경 10~1000nm인 식각 형태가 105~1010(/cm2)개로 분포하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 개질된 질화물 반도체층 위로 재성장된 상기 질화물 반도체층이 1㎛~10 mm두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반도체 소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 광소자 또는 트랜지스터를 포함하는 전자 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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