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템플레이트층 상에 반도체 소자 형성을 위한 기판의 제조 방법으로서, 기판 위에 질화물 반도체층을 형성하고,상기 질화물 반도체층을 다공성으로 표면 개질 한 후, 상기 표면 개질된 질화물 반도체층 위로 질화물 반도체층을 재성장하여 템플레이트층을 형성하되, 상기 표면 개질이 공정 장비의 반응기 내로 공급되는 비활성 기체를 포함하는 캐리어 가스 분위기에서 상기 반응기 내로 공급되는 HCl을 포함하는 식각 가스에 의해 건식 식각 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,다공성으로 표면 개질하기 전의 상기 질화물 반도체층 또는 재성장된 상기 질화물 반도체층은, InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층, 무도핑 GaN층, n형 도핑된GaN층, 또는 p형 도핑된 GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판, SiC기판, 또는 Si기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판이 사파이어 기판인 경우에, 기판의 결정면 C-면, A-면, M-면, 또는 R-면 위에 상기 질화물 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 비활성 기체로서 H2, Ar 또는 N2 가스를 포함하고,상기 식각 가스로 포함되는 HCl와 NH3의 가스 공급비율이 3000:1~1:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 표면 개질을 위한 온도 범위는 600~1200℃, 시간은 1~60분, 또는 상기 반응기 내의 가스 압력은 0
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제1항에 있어서,상기 표면 개질에 의해 깊이 10nm~10㎛이고, 직경 10~1000nm인 식각 형태가 105~1010(/cm2)개로 분포하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 표면 개질된 질화물 반도체층 위로 재성장된 상기 질화물 반도체층이 1㎛~ 10 mm두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 광소자 또는 트랜지스터를 포함하는 전자 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 표면 개질 공정 및 상기 표면 개질 전 후의 상기 질화물 반도체층 형성 공정이 모두 HVPE(Hydride vapor phase epitaxy), MOCVD(Metal-organic chemical vapor depositon), 또는 CVD(Chemical vapor depositon) 장비에서 인시추(In-situ) 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 표면 개질 공정 만 HVPE 장비에서 수행되고, 상기 표면 개질 전 또는 후의 상기 질화물 반도체층 형성 공정은 MOCVD(Metal-organic chemical vapor depositon)나 CVD(Chemical vapor depositon) 장비에서 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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