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고효율 발광 다이오드 에피구조

  • 기술번호 : KST2015202490
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 전극과 접촉되는 p-GaN층 없이 그 대신에 밴드 갭 에너지가 큰 AlGaN 등 AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0003c#x+y≤1)층으로 금속 전극과 접촉되도록 하여 금속 전극과 접촉되는 층에서 자외선 흡수 없이 투과량을 높여 광추출 효율을 향상시키기 위한 자외선 발광 다이오드의 에피구조에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01) H01L 33/32 (2010.01) H01L 33/14 (2010.01) H01L 33/04 (2010.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130038113 (2013.04.08)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1502780-0000 (2015.03.10)
공개번호/일자 10-2014-0121637 (2014.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남옥현 대한민국 서울 강남구
2 김진완 대한민국 서울 성동구
3 이경재 대한민국 충남 당진시
4 엄대용 대한민국 경기 고양시 일산서구
5 전민환 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0303561-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011258-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0168654-56
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0408911-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0533747-19
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0630798-35
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0744010-83
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.08.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0138028-94
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0851311-08
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0851312-43
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0852400-88
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.01.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0043035-50
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0042992-40
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0104243-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전압을 인가하기 위한 두 전극 사이에 순차 적층된, AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물로 이루어진 n형 질화물층과 활성층, 및 AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0003c#x+y≤1)로 이루어진 p형 질화물층, 및 n형보다 불순물 농도가 높은 n+형 질화물층을 포함하며,상기 활성층에는 배리어층과 양자 우물층이 한번 이상 반복 형성되며, 상기 p형 질화물층에서는 적층 방향으로 Al이나 In 농도가 연속적으로 감소하는 농도 경사(gradient)에 따른 분극에 의하여 정공이 형성되고,상기 n+형 질화물층의 밴드갭 에너지가 상기 활성층에서 발생되는 자외선의 에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 p형 질화물층은 상기 활성층으로부터 전자 주입을 차단하며, 상기 활성층으로의 정공 주입을 제공하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
4 4
제3항에 있어서,상기 p형 질화물층에서의 농도 경사에 따라 분극(polarization) 효과로 전기장 유도에 따라 정공 가스를 형성하여 이루어진 평탄화된 가전자대(valence band)를 활용하기 위한 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
5 5
제1항에 있어서,상기 순차 적층되는 각 층이 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metal-organic chemical vapor depositon) 장비의 반응기 내에서 인시추(In-situ)로 형성되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드
6 6
기판 상에 AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물로 이루어진 n형 질화물층과 활성층, 및 AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0003c#x+y≤1)로 이루어진 p형 질화물층, 및 n형보다 불순물 농도가 높은 n+형 질화물층을 순차 적층하는 단계를 포함하며,상기 활성층에는 배리어층과 양자 우물층을 한번 이상 반복 형성하며,상기 p형 질화물층에서는 적층 방향으로 Al이나 In 농도가 연속적으로 감소하는 농도 경사(gradient)에 따른 분극에 의하여 정공이 형성되고,상기 n+형 질화물층의 밴드갭 에너지가 상기 활성층에서 발생되는 자외선의 에너지보다 크게 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.