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수직형 발광다이오드 제조 방법 및 수직형 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015202494
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직형 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 p-n접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다.본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 33/10 (2010.01) H01L 33/22 (2010.01) H01L 33/42 (2010.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130050633 (2013.05.06)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1506961-0000 (2015.03.24)
공개번호/일자 10-2014-0131713 (2014.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20150330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020150025042;
심사청구여부/일자 Y (2013.05.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경국 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 오세미 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0397615-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011696-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0240777-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0527017-12
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0629097-13
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0733051-97
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0849371-23
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2014.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0152328-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0904389-79
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0904390-15
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033804-75
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0053551-23
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.02.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0174493-86
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0174492-30
17 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2015.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0173656-53
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0157546-11
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번호 청구항
1 1
p-n접합 구조를 갖는 질화물 반도체 기반의 수직형 발광다이오드 제조 방법에 있어서,p형 클래드층 상에 상기 p형 클래드층과 굴절율이 상이한 투명소재층을 두께가 10nm 이상 15㎛ 이하가 되도록 형성하는 단계;상기 투명소재층 상에 입체적인 패턴을 형성하는 단계; 상기 입체적인 패턴이 형성된 투명소재층 상에 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성하는 단계; 및상기 반사 금속 전극층 상에 반사층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 투명소재층은 상기 p형 클래드층 상부 전면에 증착 형성되고,상기 투명소재층에 형성된 패턴 구조는 최소 두께와 최대 두께의 차가 10nm 이상 10㎛ 이하이되, 적어도 2가지의 패턴 형태가 혼합된 불규칙적인 배열로 형성되며,상기 투명소재층의 패턴에 의하여 상기 반사 금속 전극층이 입체적인 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
p-n접합 구조를 갖는 질화물 반도체 기반의 수직형 발광다이오드 제조 방법에 있어서,p형 클래드층 상에 상기 p형 클래드층과 굴절율이 상이한 투명소재층을 두께가 10nm 이상 15㎛ 이하가 되도록 부분적으로 증착 형성하는 단계;상기 투명소재층이 부분적으로 증착된 p형 클래드 상에 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성하는 단계; 및상기 반사 금속 전극층 상에 반사층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 투명소재층은 비전도성 투명 물질로 형성되며, 최소 두께와 최대 두께의 차가 10nm 이상 10㎛ 이하이되, 적어도 2가지의 패턴 형태가 혼합된 불규칙적인 배열로 형성되며,상기 투명소재층의 패턴에 의하여 상기 반사 금속 전극층이 입체적인 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
5 5
제1항 또는 제4항에 있어서,상기 투명소재층은 ITO, ZnO, MgO, SnO, In2O3, Ga2O3, BeO, SiO2, Si3N4, CuO, Cu2O, WO3, TiO2, AgO, Ag2O, NiO의 금속 산화물 그룹 또는 AlN, InN, BN의 질화물 그룹 중 선택된 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
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삭제
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8 8
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9 9
삭제
10 10
제1항 또는 제4항에 있어서,상기 반사 금속 전극층은 Ag, Al, In, Ti, Ni, Cu, Cr, Au, Pd, W, Pt 중 적어도 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
11 11
제1항 또는 제4항에 기재된 수직형 발광다이오드 제조 방법에 의해 제조된 수직형 발광다이오드
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101580213 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101615564 KR 대한민국 FAMILY
3 US10014442 US 미국 FAMILY
4 US20160099385 US 미국 FAMILY
5 WO2014175564 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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