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산화물 기반의 고 유연성 투명전극

  • 기술번호 : KST2015202506
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 산화물 기반의 고 유연성 투명전극은 차세대 디스플레이인 고 유연 디스플레이 소자에 적용할 수 있는 고유연의 특성을 갖으며 동시에 전기적, 광학적 특성이 뛰어난 투명 전극에 관한 것으로 유리 또는 폴리머 소재의 유연한 기판을 준비하는 제 1단계와 상기의 기판을 챔버내에 구비된 로테이터에 회전가능토록 고정한 후 고진공 펌프와 저진공 펌프 및 진공 벨브에 의하여 진공을 발생시키고, 3족 원소(Ga, Al)가 도핑된 ZnO 타겟(target)을 장착한 제 1스퍼터건과 ITO 타겟을 장착한 제 2스퍼터건에 각각 RF파워를 가함으로써 플라즈마 밀도를 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al 박막의 전체적인 두께와 물질에서 In(인듐)이 차지하는 함량을 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al의 박막을 형성(증착)하는 제 2단계 및 상기의 제 2단계를 완료한 기판을 200℃~300℃에서 50초~70초 동안 열처리하는 제 3단계로 제작되어 고 유연성을 가지는 것은 물론이고 우수한 전기적 특성과 높은 광투과율을 가지며 ITO의 주된 물질이자 희토류 금속인 인듐의 사용량을 감소시킬 수 있도록 3족 원소가 도핑된 ZnO-ITO의 다성분계 금속산화물계 투명 전극으로 다성분 금속 산화물계 투명전극의 제조 시 공정 조건 등을 최적화시킴으로써 산화물 기반의 고 유연성 투명전극을 제공하는 효과가 있다.
Int. CL G02F 1/1343 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130032237 (2013.03.26)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단, (주) 누리베큠
등록번호/일자 10-1449258-0000 (2014.10.01)
공개번호/일자 10-2014-0117155 (2014.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20141008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.26)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로
2 (주) 누리베큠 대한민국 경기도 안산시 단원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경국 대한민국 경기 수원시 영통구
2 최현준 대한민국 인천 계양구
3 김택균 대한민국 경기 부천시 원미구
4 유호돌 대한민국 경기 김포시
5 장웅 대한민국 울산 동구
6 이병길 대한민국 경기 부천시 오정구
7 김환삼 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인대한 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 부봉빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
2 (주) 누리베큠 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0261169-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103664-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0134623-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0319655-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0319656-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0585101-45
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고 유연성 투명전극에 있어서,폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 및 폴리에테프술폰(PES) 중 하나 이상을 포함하는 수지로부터 제조된 유연한 기판(10)을 준비하는 제 1단계(S10);와상기의 기판(10)을 챔버(20)내에 구비된 로테이터(21)에 회전가능토록 고정한 후 고진공 펌프(22)와 저진공 펌프(23) 및 진공 벨브(24)에 의하여 진공을 발생시키고, Ga2O3(산화갈륨) 5 중량%, ZnO(산화아연) 95중량%으로 구성되는 ZnO 타겟(target)(25)을 장착한 제 1스퍼터건(26)과 ITO 타겟(27)을 장착한 제 2스퍼터건(28)에 각각 RF파워를 가함으로써 플라즈마 밀도를 조절하여 ZITO:Ga 박막의 전체적인 두께와 물질에서 In(인듐)이 차지하는 함량을 조절하여 ZITO:Ga 박막을 형성(증착)하는 제 2단계(S20); 및상기의 제 2단계(S20)를 완료한 기판(10)을 200℃~300℃에서 50초~70초 동안 열처리하는 제 3단계(S30); 로 제작되는 것을 특징으로 하는 산화물 기반의 고 유연성 투명전극
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,제 2단계(S20)에서 기판(10)의 온도는 상온, 초기 진공도는 2*10-6Torr 이하로 유지하고 로테이터(21)는 3~5RPM로 회전하며 작업 압력은 3mTorr로 스퍼터건(26)에 RF파워를 50~100W로 입력하고, 10~20분의 증착 시간을 갖는 것을 특징으로 하는 산화물 기반의 고 유연성 투명전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한국산업기술대학교산학협력단 산학연공동기술개발중점사업 고유연성 비정질 투명전극 개발