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기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판

  • 기술번호 : KST2015202599
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속 패턴 형성 방법은 (A) 상기 기판의 상부 표면을 RIE(Reactive Ion Etching)를 통해 표면 처리하는 단계와; (B) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와; (C) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와; (D) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는데 있어 습식 에칭 공정을 이용하지 않음으로써, 원하는 형상의 금속 패턴을 보다 정밀하게 형성하면서도, 에칭 공정의 제거를 통한 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 기판의 상부 표면을 표면 처리하여 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있게 된다.
Int. CL H05K 3/18 (2006.01) H05K 3/06 (2006.01)
CPC H05K 3/10(2013.01) H05K 3/10(2013.01) H05K 3/10(2013.01) H05K 3/10(2013.01)
출원번호/일자 1020110005814 (2011.01.20)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0084448 (2012.07.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120053667;
심사청구여부/일자 Y (2011.01.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성의 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한다솔 대한민국 서울특별시 마포구
3 이재윤 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인남촌 대한민국 서울특별시 종로구 새문안로*길 **, 도렴빌딩 ***호 (도렴동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0047265-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006827-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0113578-37
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0336995-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0404188-35
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0404241-68
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0648992-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법에 있어서,(A) 상기 기판의 상부 표면을 RIE(Reactive Ion Etching)를 통해 표면 처리하는 단계와;(B) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와;(C) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와;(D) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
2 2
기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법에 있어서,(a) 상기 기판의 상부 표면에 접착층을 증착하는 단계와;(b) 상기 접착층의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와;(c) 상기 접착층의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와;(d) 상기 접착층의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (B) 단계 및 상기 (b) 단계에서 상기 마스크 패턴은 포토레지스트(Photoresist) 패턴과 DFR(Dry Film Resist) 패턴 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 마스크 패턴은 언더-컷(Under-cut) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (C) 단계 및 상기 (c) 단계에서 상기 금속 박막층은 스퍼터링(Sputtering) 기법과 열증착(Thermal evaporation) 기법 중 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (C) 단계 및 상기 (c) 단계에서 상기 금속 박막층은 상호 상이한 2 이상의 재질이 순차적으로 증착되어 적층 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (D) 단계 및 상기 (d) 단계에서 상기 마스크 패턴은 스트립(Strip) 공정을 통해 제거되며, 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층은 상기 마스크 패턴의 제거에 따라 제거되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
8 8
제1항 또는 제2항에 따른 금속 패턴 형성 방법에 따라 금속 패턴이 형성된 기판
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