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기판 상에 포토 레지스트(photo resist) 패턴을 형성하는 단계;상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 기판을 챔버(chamber) 내에 배치한 후 반응성 이온 에칭(Reactive ion etching) 플라즈마 표면처리 공정을 통해 상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 기판을 표면처리하는 단계;상기 포토 레이지스트 패턴이 형성된 기판에 스핀코팅 공정을 통해 도전성 잉크를 도포하는 단계;상기 도포된 잉크를 소정의 건조 공정을 통해 금속화하는 단계; 및상기 포토 레지스트 패턴을 기판으로부터 선택적으로 박리 제거하는 단계를 포함하는 금속 패턴 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 반응성 이온 에칭 플라즈마 표면처리 공정은,상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 기판을 아르곤(Ar) 가스를 이용하여 제1차 플라즈마 표면처리하는 단계; 및상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 기판을 사불화탄소(CF4) 가스를 이용하여 제2차 플라즈마 표면처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 표면처리 단계의 수행 결과를 평가하기 위해 상기 기판의 접촉각 또는 표면 형태를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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제 3항에 있어서,상기 측정 결과 상기 도전성 잉크를 도포하기에 부적합한 것으로 확인되는 경우 상기 표면처리 단계를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 스핀코팅 공정을 통해 도전성 잉크를 도포하는 단계는,제작 대상 금속 패턴의 두께에 기초하여 스핀코팅을 수행하기 위한 블레이드(blade)의 회전 속도를 결정하는 것을 특징으로 금속 패턴 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 스핀코팅 공정을 완료한 후 챔버 벽면 또는 챔버 벽면을 따라 흘러내린 도전성 잉크를 수거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 도전성 잉크는 구리(Cu), 크롬(Cr), 은(Ag), 카본(C) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 기판은 세라믹 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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제 8항에 있어서,상기 유리 기판은 소다라임 유리, 파이렉스 유리, 강화 유리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 포토 레지스트 패턴을 기판으로부터 선택적으로 박리하여 제거하는 단계는,아세톤, 메탄올, 에탄올 중 적어도 어느 하나를 포함하는 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
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