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ＣＩＧＳ 박막 제조 방법

기술번호 : KST2015202619
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 CIGS 박막 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 고가의 결정질 실리콘 태양 전지를 대체할 수 있는 고효율 및 저가의 차세대 태양 전지 재료로 활용가능한 CIGS 박막 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 a) 구리, 인듐, 및 갈륨을 포함하는 합금 타겟을 기판의 상부에 스퍼터링하여 상기 기판의 상부에 CIG 전구체를 형성하는 단계; (b) 상기 CIG 전구체를 셀레늄 분위기에서 1차 열처리하여 상기 기판의 상부에 구리-셀레늄(Cu-Se) 화합물, 인듐-셀레늄(In-Se) 화합물, 및 갈륨-셀레늄(Ga-Se) 화합물을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 셀레늄 분위기에서 2차 열처리하여 상기 기판의 상부에 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 CIG-3원 금속 합금 타겟을 이용한 원-스텝(one-step) 스퍼터링 및 2단계의 셀렌화 열처리 과정을 거쳐 우수한 표면 조도(surface roughness), 균일한 조성, 높은 박막 밀도, 및 큰 결정립을 갖는 CIGS 박막을 제조할 수 있으므로, 대면적의 CIGS 박막 제조, 제조 공정의 간소화, 및 제조 비용의 절감이 가능한 효과를 갖는다.
Int. CL	C23C 14/34 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01)
CPC	C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01)
출원번호/일자	1020110064201 (2011.06.30)
출원인	한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0007188 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.06.30)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국산업기술대학교산학협력단	대한민국	경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	송용원	대한민국	경기도 안양시 동안구
2	이승인	대한민국	울산광역시 중구
3	이유리	대한민국	서울특별시 동대문구
4	박상진	대한민국	경기도 고양시 덕양구
5	강종성	대한민국	경기도 부천시 원미구
6	박태은	대한민국	서울특별시 강북구
7	이정웅	대한민국	서울특별시 관악구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인충정	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로**,층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.06.30	수리 (Accepted)	1-1-2011-0499714-11
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.09.21	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.11.06	수리 (Accepted)	9-1-2012-0083083-18
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0739652-23
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2013.02.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0100692-28
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2013.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0186334-92
7	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2013.04.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0253133-18
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.05.30	수리 (Accepted)	4-1-2014-0066577-70

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 (a) 구리, 인듐, 및 갈륨을 포함하는 합금 타겟을 기판의 상부에 스퍼터링하여 상기 기판의 상부에 CIG 전구체를 형성하는 단계;(b) 상기 CIG 전구체를 셀레늄 분위기에서 1차 열처리하여 상기 기판의 상부에 구리-셀레늄(Cu-Se) 화합물, 인듐-셀레늄(In-Se) 화합물, 및 갈륨-셀레늄(Ga-Se) 화합물을 형성하는 단계; 및(c) 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 셀레늄 분위기에서 2차 열처리하여 상기 기판의 상부에 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법
2	2 제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 합금 타겟에 포함된 인듐과 갈륨의 조성비는 1:99 내지 99:1인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법
3	3 제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에 앞서서,상기 기판의 상부에 몰리브덴 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법
4	4 제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 스퍼터링은 1 내지 100mtorr의 아르곤 분압에서 1 내지 100watt의 스퍼터링 전력(sputtering power)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
5	5 제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 기판은 소다 석회 유리(soda lime glass) 기판이며, 상기 기판의 온도는 15도 내지 50도인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법
6	6 제 1항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 셀레늄 분위기에서 상기 기판의 온도를 300도 내지 400도로 하여 상기 기판 상부에 형성된 상기 CIG 전구체를 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법
7	7 제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는 상기 셀레늄 분위기에서 상기 기판의 온도를 400도 내지 600도로 하여 상기 기판 상부에 형성된 상기 구리-셀레늄 화합물, 상기 인듐-셀레늄 화합물, 및 상기 갈륨-셀레늄 화합물을 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법
8	8 제 1항에 있어서,상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서,상기 셀레늄 분위기는 고체 셀레늄 소스를 기화시켜 형성되며, 상기 고체 셀레늄 소스는 구리-셀레늄 화합물, 인듐-셀레늄 화합물, 또는 갈륨-셀레늄 화합물인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.06.30	수리 (Accepted)	1-1-2011-0499714-11
2	선행기술조사의뢰서	2012.09.21	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2012.11.06	수리 (Accepted)	9-1-2012-0083083-18
4	의견제출통지서	2012.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0739652-23
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2013.02.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0100692-28
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2013.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0186334-92
7	거절결정서	2013.04.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0253133-18
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.05.30	수리 (Accepted)	4-1-2014-0066577-70


과제고유번호	1415106534
세부과제번호	KRM-2009-1-001-0008
연구과제명	CIGS 화합물 박막 태양전지용 증착설비개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	지식경제부
연구주관기관명	한국산업기술대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200909~201208
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020110064201]	ＣＩＧＳ 박막 제조 방법	새창보기

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