맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

패터닝된 사파이어 기판의 재사용을 위한 선택적 표면 식각 방법 및 이에 따른 패터닝된 사파이어 기판

  • 기술번호 : KST2015202632
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 재생 PSS를 위한 선택적 식각 방법에 관한 것이다. 상기 선택적 식각 방법은, (a) 상부 표면에 GaN 에피층(epitaxial layer)이 형성된 PSS를 준비하는 단계; (b) 선택적 식각 방법을 사용하여 PSS의 미세패턴이 형성된 영역위의 GaN 에피층을 1차 선택적 식각하는 단계; (c) 선택적 식각 방법을 사용하여 상기 GaN 에피층을 2차 선택적 식각하여 완전히 제거하는 단계;를 구비하고, 상기 사파이어 기판은 표면이 미세 패턴들이 형성된 패터닝된 사파이어 기판(Patterned Sapphire Substrate)인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 미세 패턴이 손상되지 않으면서 에피층이 완전히 제거된 재생 PSS를 얻을 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/308(2013.01) H01L 21/308(2013.01) H01L 21/308(2013.01)
출원번호/일자 1020130024294 (2013.03.07)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1445809-0000 (2014.09.23)
공개번호/일자 10-2014-0110265 (2014.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20141001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.07)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남충모 대한민국 인천 연수구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)세미콘라이트 경기 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0199143-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0005497-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0259291-98
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0530881-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0530880-69
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0477037-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 상부 표면에 소정 물질의 에피층(epitaxial layer)이 형성된 사파이어 기판을 준비하는 단계;(b) 선택적 식각 방법을 사용하여 상기 에피층을 1차 선택적 식각하는 단계;(c) 선택적 식각 방법을 사용하여 상기 에피층을 2차 선택적 식각하여 완전히 제거하는 단계;를 구비하고, 상기 사파이어 기판은 표면이 미세 패턴들이 형성된 패터닝된 사파이어 기판(Patterned Sapphire Substrate)으로서, 상기 패터닝된 사파이어 기판의 가장자리 영역에는 미세 패턴이 형성되지 않은 영역을 구비하는 것을 특징으로 하며, 상기 (b) 단계는, 상기 패터닝된 사파이어 기판의 미세 패턴이 형성된 영역위의 에피층에 포토 레지스트를 도포한 후, 상기 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 사파이어 기판의 미세 패턴이 형성되지 않은 영역위의 에피층을 1차 선택적 식각하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 사파이어 기판의 재생을 위한 선택적 표면 식각 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 패터닝된 사파이어 기판의 미세 패턴이 형성되지 않은 영역위의 에피층의 전부 또는 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 사파이어 기판의 재생을 위한 선택적 표면 식각 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 사파이어 기판의 미세 패턴들이 완전히 노출될 때까지 에피층을 식각하는 것을 특징으로 하는 패터닝된 사파이어 기판의 재생을 위한 선택적 표면 식각 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한국산업기술대학교산학협력단 2012년도 산학연협력기술개발 중점사업 요철된 사파이어 기판 재사용을 위한 선택적 식각 방법에 관한 연구