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반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서, 준비된 기판 상에 절연막으로 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴에 의한 절연막들 사이의 기판 상으로부터 성장시켜 상기 마스크 패턴의 상부의 일정 높이까지 전면에 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 상기 템플레이트층을 형성하고, 상기 템플레이트층 위에 상기 반도체 소자 구조를 형성하되, 상기 기판의 결정면에 의해 상기 마스크 패턴에 의한 절연막들 사이에서 성장되는 적층 결함(BSFs)의 경사각(θ)에 대한 tanθ에 기초하여 상기 마스크 패턴의 절연막간 간격과 절연막의 높이가 미리 결정되어 형성되고,상기 마스크 패턴은, 질화물 반도체층이 미리 형성된 상기 준비된 기판 상에 형성되거나, 질화물 반도체층이 미리 형성되지 않은 베어 상태의 상기 준비된 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 패턴에 의해 상기 마스크 패턴의 절연막들 사이에서 성장되어 올라오는 적층 결함(BSFs)의 측면 성장을 블로킹함으로써, 상기 마스크 패턴의 상면으로부터 그 하부 보다 그 상부의 결함밀도가 낮게 형성되도록 하기 위한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판에 대한 경사각(θ)의 tanθ 의 0
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제4항에 있어서,상기 마스크 패턴의 절연막간 간격은, 상기 마스크 패턴의 바닥면에서의 절연막간 간격 또는 상기 마스크 패턴의 상면에서의 절연막간 간격인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 패턴은 SiO2 또는 SiNx로 이루어지고, 단면의 모양이 직사각형, 사다리꼴, 또는 삼각형을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판, SiC기판, 또는 Si기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판이 사파이어 기판인 경우에, 상기 결정면은 (11-21), (11-22), (11-23), (10-11), (10-12), 또는 (20-21) 면인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 광소자 또는 트랜지스터를 포함하는 전자 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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