맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막형 고온초전도체를 위한 은 보호층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015202668
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막형 고온초전도체의 구성요소 중의 하나인 은 보호층의 형성방법에 관한 것으로서, 실버페이스트를 도포하는 방식으로 박막형 고온초전도체의 은 보호층을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 은 보호층 형성방법은 표면이 고온초전도체 박막으로 이루어진 박막형 고온초전도체에 실버페이스트를 도포하는 단계, 도포한 실버페이스트를 건조하는 단계, 건조된 실버페이스트가 도포된 박막형 고온초전도체를 소성하는 단계, 산소 열처리를 통해 고온초전도 박막이 초전도 특성을 가지는 단계, 초전도 박막 위에 형성된 은 보호층의 위에 구리층을 도포 혹은 접합하는 단계로 구성된다. 본 발명은 박막형 고온초전도체의 고온초전도 박막 위에 실버페이스트를 도포하는 방법에 의해 은 보호층을 형성함으로써, 대기압에서 실행할 수 있어서 진공장비를 필요로 하지 않으며 도포속도가 빠르고, 쉽게 양면 도포가 가능한 장점이 있다. 박막형 고온초전도체, 실버페이스트, 은 보호층
Int. CL H01B 12/00 (2006.01)
CPC H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080060626 (2008.06.26)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0964918-0000 (2010.06.11)
공개번호/일자 10-2010-0000939 (2010.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20100623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.26)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이희균 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 홍계원 대한민국 경기 성남시 분당구
3 이종범 대한민국 경기도 시흥시 정
4 문승현 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인남촌 대한민국 서울특별시 종로구 새문안로*길 **, 도렴빌딩 ***호 (도렴동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 서남 경기도 안성시 승량길 ** (
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0459014-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0008888-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0445547-82
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0804897-76
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0804898-11
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0181581-87
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0173184-78
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막형 고온초전도체의 고온초전도체 박막층 위에 실버페이스트를 도포하는 단계; 상기 박막형 고온초전도체의 상기 고온초전도체 박막층에 도포된 상기 실버페이스트를 건조하는 단계; 건조된 상기 실버페이스트가 도포된 상기 박막형 고온초전도체를 소성하는 단계; 및 상기 소성된 실버페이스트가 도포된 상기 박막형 고온초전도체를 산소열처리하는 단계를 포함하는 실버페이스트를 사용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 실버페이스트는 은 10 내지 60중량% 및 유기용매 40 내지 90중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 실버페이스트가 도포된 상기 박막형 고온초전도체를 소성하는 단계는 섭씨 500 내지 800도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 실버페이스트가 도포된 상기 박막형 고온초전도체를 소성하는 단계는 산소가 5%이상 포함된 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 실버페이스트가 도포된 상기 박막형 고온초전도체를 소성하는 단계의 소성시간은 10분 이상인 것을 특징으로 하는 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.