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중첩형 나노 전극쌍 제조방법 및 이를 이용한 공중부유형 센서

  • 기술번호 : KST2015203112
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 공중부유형 나노와이어 센서의 수율 저하 및 제조적 한계문제 등을 효과적으로 개선할 수 있는 공중부유형 탄소나노와이어의 응용 형태인 중첩형 나노 전극쌍 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따라 얇고 조밀한 형태 공중부유형 탄소나노메쉬가 고수율로 제조된 중첩형 나노 전극쌍을 제공한다. 본 발명에 따라 제조된 중첩형 나노 전극쌍을 적용하여, 탄소나노메쉬와 전극과의 접촉이 물리적, 전기적으로 안정하여 감지도가 향상된 바이오센서 또는 전기화학센서를 제공한다.
Int. CL G01N 27/30 (2006.01.01) G01N 27/403 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130067488 (2013.06.13)
출원인 에스케이이노베이션 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2131408-0000 (2020.07.01)
공개번호/일자 10-2014-0145283 (2014.12.23) 문서열기
공고번호/일자 (20200708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이이노베이션 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신흥주 대한민국 울산광역시 울주군
2 임영진 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층
2 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
4 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이이노베이션 주식회사 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0523832-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511160-94
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0576877-36
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0830239-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5260828-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5263004-74
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2020.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0045159-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0170197-45
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0170164-49
12 등록결정서
Decision to grant		 2020.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0434911-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상부에 제1포토레지스트를 도포하고, 상기 제1포토레지스트를 노광 및 현상하여 포토레지스트 전극을 형성하는 단계;b) 상기 포토레지스트 전극이 형성된 기판 상부에 제2포토레지스트를 도포하고, 상기 제2포토레지스트를 노광 및 현상하여, 상기 포토레지스트 전극을 덮는 미노광 제2포토마스크영역인 이격공간확보층을 형성하는 단계;c) 상기 이격공간확보층이 형성된 기판 상부로 제3포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상하여, 상기 포토레지스트 전극과 이격되도록 두 기둥형상의 포토레지스트 기둥부와 메쉬 형상의 포토레지스트 메쉬를 형성하는 단계; 및d) 상기 기판상 형성된 포토레지스트 전극, 포토레지스트 기둥부 및 포토레지스트 메쉬의 노광영역을 다단 열처리하여 열분해하는 단계;를 포함하며,상기 제2포토레지스트는 포지티브형 인 중첩형 나노 전극쌍 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 제1포토레지스트는 네거티브형 포토레지스트인 중첩형 나노 전극쌍 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 b)단계는,상기 이격공간확보층을 노광하여 가용화시키는 단계;를 더 포함하는 중첩형 나노 전극쌍 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서,상기 c)단계는,상기 이격공간확보층이 형성된 기판 상부로 제3포토레지스트를 도포하는 단계;상기 제3포토레지스트를 노광하여, 상기 포토레지스트 전극을 사이에 두고 포토레지스트 전극과 일정거리 이격되며 서로 대향하는 두 기둥형상의 노광영역인 포토레지스트 기둥부를 형성하는 단계; 및상기 제3포토레지스트를 재노광하여, 상기 포토레지스트 전극을 가로질러 상기 포토레지스트 기둥부의 상기 두 기둥형상의 노광영역을 연결하는 메쉬 형상의 노광영역인 포토레지스트 메쉬를 형성하는 단계;를 포함하는 중첩형 나노 전극쌍 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 c)단계는,상기 포토레지스트 기둥부 및 상기 포토레지스트 메쉬가 형성된 이후에, 현상을 통해 상기 c) 단계에서 미 노광된 제3포토레지스트 영역인 미노광영역 및 상기 이격공간확보층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 중첩형 나노 전극쌍 제조방법
9 9
삭제
10 10
제 7항에 있어서,상기 포토레지스트 메쉬의 와이어 사이의 각도(θ)는 40°내지 60°인 중첩형 나노 전극쌍 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 d)단계에서 상기 다단 열처리는,300 내지 400℃에서 30 내지 90분 동안 시행되는 제1 단계; 및900 내지 1000℃에서 30 내지 90분 동안 시행되는 제2 단계;를 포함하는 중첩형 나노 전극쌍 제조방법
12 12
제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 중첩형 나노 전극쌍을 포함하며, 감지물질로서 글루코스 효소(glucose enzyme)를 포함하는 공중부유형 센서
13 13
제 12항에 있어서,상기 글루코스 효소는 글루코스 옥시다아제(glucose oxidase)인 공중부유형 센서
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1 WO2014200306 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014200306 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.