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불소 함유 전해액 내에서 티타늄 기판을 1차 양극 산화하여, 희생 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 희생 티타늄 산화물 나노 구조체를 제거하여 상기 티타늄 기판 상에 자취 영역을 형성하는 단계; 상기 불소 함유 전해액 내에서 상기 티타늄 기판을 2차 양극 산화하여, 상기 티타늄 기판의 상기 자취 영역에 비정형 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 비정형 티타늄 산화물 나노 구조체를 소성하여, 아나타제 결정화된 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계; 및상기 아나타제 결정화된 티타늄 산화물 나노 구조체를 알칼리 전해액 내에서 음극 처리하여, 음극 처리된 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 불소 함유 전해액은 0
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제 2 항에 있어서,상기 불소 함유 전해액은 에탄올(ethanol), 이소프로파놀(isopropanol), 프로파놀(propanol), 젖산(lactic acid), 증류수(distilled water), 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 불소 함유 전해액 내에서 티타늄 기판을 1차 양극 산화하여, 비정형 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계는, 상기 티타늄 기판을 양극으로 사용하고, 상기 티타늄 기판에 20 V 내지 100 V 범위의 전압을 인가하여 수행되는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 비정형 티타늄 산화물 나노 구조체를 소성하여, 아나타제 결정화된 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계는, 300℃ 내지 700℃ 범위의 온도에서 수행되는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 알칼리 전해액은 0
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제 1 항에 있어서,상기 아나타제 결정화된 티타늄 산화물 나노 구조체를 알칼리 전해액 내에서 음극 처리하여, 음극 처리된 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계는, 상기 아나타제 결정화된 티타늄 산화물 나노 구조체를 음극으로 사용하는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 음극으로 사용되는 상기 아나타제 결정화된 티타늄 산화물 나노 구조체에 3 V 내지 60 V 범위의 전압을 인가하여 수행되는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 티타늄 기판은 티타늄 호일인, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 티타늄 기판은 FTO 유리 기판, 스테인리스 기판, 또는 도자기 기판 상에 스퍼터링을 이용하여 형성된 티타늄 박막을 포함하는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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불소 함유 전해액 내에서 티타늄 기판을 1차 양극 산화하여, 희생 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 희생 티타늄 산화물 나노 구조체를 제거하여 상기 티타늄 기판 상에 자취 영역을 형성하는 단계; 상기 불소 함유 전해액 내에서 상기 티타늄 기판을 2차 양극 산화하여, 상기 티타늄 기판의 상기 자취 영역에 비정형 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 비정형 티타늄 산화물 나노 구조체를 알칼리 전해액 내에서 음극 처리하여, 음극 처리된 티타늄 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계; 및상기 음극 처리된 티타늄 산화물 나노 구조체를 소성하여, 아나타제 결정화하는 단계;를 포함하는, 음극 처리된 가시광 감응형 티타늄 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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