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탄소체를 포함하는 그래핀 도전층, 그 제조 방법, 그를 포함하는 광전소자, 태양전지 및 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015203144
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 탄소체를 이용하여 그래핀층의 변형이나 파손 없이 전사하여 그래핀 도전층을 형성하는 그래핀 도전층 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 그래핀 도전층 제조 방법은, 제1 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계; 상기 그래핀층 상에 탄소체 및 분산제를 포함하는 도포층을 형성하는 단계; 상기 탄소체를 상기 그래핀층 상에 잔류시키도록, 상기 도포층에서 상기 분산제를 제거하는 단계; 상기 탄소체가 상기 그래핀층에 결합되도록, 상기 그래핀층을 열처리하는 단계; 상기 제1 기판을 제거하여 상기 그래핀층을 분리하는 단계; 및 상기 분리된 그래핀층을 제2 기판 상에 전사하여 그래핀 도전층을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020130042301 (2013.04.17)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1375145-0000 (2014.03.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권순용 대한민국 울산광역시 울주군
2 윤형덕 대한민국 서울 서초구
3 곽진성 대한민국 부산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전용준 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 **, 대륭테크노타운 **차 ***호 (가산동)(이연국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0335110-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.19 수리 (Accepted) 9-1-2013-0107573-65
4 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0163769-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0282212-64
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번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 탄소체 및 분산제를 포함하는 도포층을 형성하는 단계;상기 탄소체를 상기 그래핀층 상에 잔류시키도록, 상기 도포층에서 상기 분산제를 제거하는 단계;상기 탄소체가 상기 그래핀층에 결합되도록, 상기 그래핀층을 열처리하는 단계;상기 제1 기판을 제거하여 상기 그래핀층을 분리하는 단계; 및 상기 분리된 그래핀층을 제2 기판 상에 전사하여 그래핀 도전층을 형성하는 단계를 포함하는, 그래핀 도전층 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 도포층을 형성하는 단계는, 상기 제1 기판과 상기 그래핀층이 25℃ 내지 300℃ 범위의 온도를 가지는, 그래핀 도전층 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 도포층을 형성하는 단계는, 상기 그래핀층을 전체적으로 덮도록 상기 도포층을 형성하거나, 또는 상기 그래핀층의 일부를 덮도록 상기 도포층을 형성하는, 그래핀 도전층 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 도포층에서 상기 분산제를 제거하는 단계는, 물, 알코올, 및 아세톤 중 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 분산제를 제거하는, 그래핀 도전층 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층을 열처리하는 단계는, 0
6 6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층을 분리하는 단계는, 절단, 연마, 식각, 및 기계적화학적 연마 중 적어도 어느 하나를 이용하여 수행되는, 그래핀 도전층 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층을 분리하는 단계는, 상기 제1 기판을 FeCl3, HCl, HNO3, Fe(NO3)3, 및 (NH4)2SO8 중 적어도 어느 하나를 포함하는 식각제를 이용하여 식각하여 제거하는, 그래핀 도전층 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층을 분리하는 단계는, 상기 그래핀층이 분리된 후에, 물, 알코올, 및 아세톤 중 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 그래핀층을 세척하는 단계;를 더 포함하는, 그래핀 도전층 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제1 기판은 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루비듐(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 하프늄(Hf), 탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au), 또는 이들의 합금을 포함하는, 그래핀 도전층 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 탄소체는 탄소나노튜브(carbon nanotube) 및 탄소 섬유(carbon fiber) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 그래핀 도전층 제조 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제2 기판은, 유리, 석영, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 사이클로올레핀 공중합체(COC) 또는 폴리아릴레이트(PAR)를 포함하는, 그래핀 도전층 제조 방법
12 12
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 형성한 그래핀 도전층으로서,기판;상기 기판 상에 위치한 그래핀층;상기 그래핀층과 결합되어 상기 그래핀층을 지지하는 탄소체;를 포함하는, 그래핀 도전층
13 13
제 12 항에 있어서,상기 그래핀층은 복수의 결정립들을 포함하고,상기 탄소체는 상기 결정립들 사이의 결정립계에 걸쳐서 위치하여 상기 그래핀층을 지지하는, 그래핀 도전층
14 14
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 형성한 그래핀 도전층을 포함하는 광전소자
15 15
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 형성한 그래핀 도전층을 포함하는 태양 전지
16 16
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 형성한 그래핀 도전층을 포함하는 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 울산과학기술대학교 산학협력단 지방과학연구단지육성사업 고전도 탄소 기반 유연 전극 연구