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집전체, 및 상기 집전체 상에 형성된 양극 활물질 층을 포함하고,상기 양극 활물질 층은 양극 활물질만으로 구성되며,상기 양극 활물질은 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질, 및 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 형성된 전도성 고분자 코팅층을 포함하고,상기 전도성 고분자 코팅층은 폴리아세틸렌계 고분자, 폴리아닐린계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리티오펜계 고분자, 폴리페닐렌계 고분자, 및 이들의 유도체에서 선택되는 적어도 하나의 전도성 고분자를 포함하는 것이며,상기 양극 활물질은 바인더와 도전재의 역할을 하는 것인,양극
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제1항에서,상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene, PA), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리피롤(polypyrrole, PPy), 폴리티오펜(polythiophen, PT), 폴리에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene, PITN), 폴리페닐렌 비닐렌(polyphenylene vinylene, PPV), 폴리페닐렌(polyphenylene, PPE), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리설퍼니트리드(polysulfur nitride, PSN), 또는 이들의 조합인 양극
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제1항에서,상기 전도성 고분자는 음이온 도펀트로 도핑된 것인 양극
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제4항에서,상기 음이온 도펀트는 할로겐 음이온, 산화 할로겐 음이온, 황산 음이온, 토실레이트 음이온, 폴리음이온(polyanion), 또는 이들의 조합을 포함하는 양극
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제4항에서,상기 음이온 도펀트는 염소이온(Cl-), ClO4-, 황산이온(SO42-), 폴리스티렌 설포네이트(polystyrene sulfonate), 또는 이들의 조합인 양극
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제4항에서,상기 전도성 고분자에 대한 상기 음이온 도펀트의 중량비는 0
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제1항에서,상기 전도성 고분자 코팅층의 두께는 0
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제1항에서,상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질은 리튬니켈계 산화물, 리튬코발트계 산화물, 리튬니켈망간계 산화물, 리튬니켈코발트망간계 산화물, 리튬니켈코발트알루미늄계 산화물, 리튬인산철계 산화물, 또는 이들의 조합을 포함하는 양극
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제1항, 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 양극,음극, 및 전해액을 포함하는 전기 화학 소자
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제10항에서,상기 전기 화학 소자는 리튬 이차 전지인 전기 화학 소자
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리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질, 및 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 형성된 전도성 고분자 코팅층을 포함하고,상기 전도성 고분자 코팅층은 음이온 도펀트로 도핑된 전도성 고분자를 포함하고,상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌계 고분자, 폴리아닐린계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리티오펜계 고분자, 폴리페닐렌계 고분자, 또는 이들의 유도체이고,상기 음이온 도펀트는 할로겐 음이온, 산화 할로겐 음이온, 황산 음이온, 토실레이트 음이온, 폴리음이온(polyanion), 또는 이들의 조합을 포함하는,양극 활물질이되, 바인더와 도전재의 역할을 하는 것인 양극 활물질
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제12항에서,상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene, PA), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리피롤(polypyrrolek PPy), 폴리티오펜(polythiophen, PT), 폴리에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene, PITN), 폴리페닐렌 비닐렌(polyphenylene vinylene, PPV), 폴리페닐렌(polyphenylene, PPE), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리설퍼니트리드(polysulfur nitride, PSN), 또는 이들의 조합인 양극 활물질
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제12항에서,상기 음이온 도펀트는 염소이온(Cl-), ClO4-, 황산이온(SO42-), 폴리스티렌 설포네이트(polystyrene sulfonate), 또는 이들의 조합인 양극 활물질
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제12항에서,상기 전도성 고분자에 대한 상기 음이온 도펀트의 중량비는 0
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제12항에서,상기 전도성 고분자 코팅층의 두께는 0
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전도성 고분자와 제1 용매를 혼합하여 전도성 고분자 용액을 제조하는 단계,상기 전도성 고분자 용액에 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질을 투입하여 혼합액을 제조하는 단계, 및상기 혼합액에서 상기 제1 용매를 제거하여, 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 전도성 고분자 코팅층이 형성된 양극 활물질을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌계 고분자, 폴리아닐린계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리티오펜계 고분자, 폴리페닐렌계 고분자, 또는 이들의 유도체를 포함하며,상기 제조된 양극 활물질은, 바인더와 도전재의 역할을 하는 것인, 양극 활물질의 제조 방법
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제17항에서, 상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene, PA), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리피롤(polypyrrolek PPy), 폴리티오펜(polythiophen, PT), 폴리에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene, PITN), 폴리페닐렌 비닐렌(polyphenylene vinylene, PPV), 폴리페닐렌(polyphenylene, PPE), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리설퍼니트리드(polysulfur nitride, PSN), 또는 이들의 조합인 양극 활물질의 제조 방법
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제17항에서,상기 전도성 고분자는 음이온 도펀트로 도핑된 것인 양극 활물질의 제조 방법
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제19항에서,상기 음이온 도펀트는 할로겐 음이온, 산화 할로겐 음이온, 황산 음이온, 토실레이트 음이온, 폴리음이온(polyanion), 또는 이들의 조합을 포함하는 양극 활물질의 제조 방법
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제19항에서,상기 전도성 고분자에 대한 상기 음이온 도펀트의 중량비는 0
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제17항에서,상기 제1 용매는 물, 알코올, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 시클로헥산, 사염화탄소, 클로로포름, 메틸렌클로라이드, 메탄설폰산, 톨루엔, 또는 이들의 조합인 양극 활물질의 제조 방법
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제17항 내지 제22항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된 양극 활물질과 제2 용매만을 혼합하여 양극 슬러리를 제조하는 단계, 및상기 양극 슬러리를 집전체에 도포하여 건조하는 단계를 포함하는양극의 제조 방법
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제23항에서,상기 제2 용매는 물, 아세톤, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아미드, 디메틸 아세트아미드, N-메틸포름아미드, 메틸피롤리돈, 또는 이들의 조합인 양극의 제조 방법
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제23항에서,상기 양극의 제조 방법은 상기 양극 슬러리에 바인더와 도전재를 첨가하지 않는 것인 양극의 제조 방법
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제23항의 제조 방법에 따라 제조된 양극,음극, 및 전해액을 포함하는 전기 화학 소자
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제26항에서,상기 전기 화학 소자는 리튬 이차 전지인 전기 화학 소자
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