| 1 |
1
마그네슘 염; 및유기용매를 포함하고,상기 유기용매는 1,2-디메톡시에탄 및 하기 화학식 1로 표시되는 용매를 포함하는 것인 마그네슘 이차전지용 전해액[화학식 1](상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기 또는 이들의 조합이고,상기 n은 2 내지 5의 정수이다)
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기인 마그네슘 이차전지용 전해액
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 용매는 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 또는 이들의 조합인 마그네슘 이차전지용 전해액
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 유기 용매는 1,2-디메톡시에탄 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르를 포함하는 마그네슘 이차전지용 전해액
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 유기용매는 상기 1,2-디메톡시에탄 및 상기 화학식 1로 표시되는 용매를 1 내지 99 : 99 내지 1의 부피비로 포함하는 것인 마그네슘 이차전지용 전해액
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 유기용매는 1,2-디메톡시에탄 및 상기 디에틸렌글리콜디메틸에테르를 1 내지 99 : 99 내지 1의 부피비로 포함하는 것인 마그네슘 이차전지용 전해액
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 마그네슘염은,마그네슘 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드(magnesium bis(trifluoromethanesulfonyl)limide: Mg(TFSI)2), 마그네슘 비스(헥사플루오로포스페이트)(magnesium bis(hexafluorophosphate): Mg(PF6)2), 마그네슘 비스(퍼클로레이트)(magnesium bis(perchlorate): Mg(ClO4)2), 마그네슘 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드 (magnesium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide: Mg(CF3SO3N)2), 마그네슘 비스(옥살레이토)보레이트 (magnesium bis(oxalato)borate (Mg(BOB)2), 마그네슘 비스(테트라플루오로보레이트)(magnesium bis(tetrafluoroborate):Mg(BF4)2), 마그네슘 비스(퍼플루오로에탄설포닐)이미드 (magnesium bis(perfluoroethanesulfonyl)imide :Mg(BETI)2), 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 마그네슘이차전지용 전해액
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 유기용매는 상기 전해액 총량에 대하여 80 내지 99 중량%인 것인 마그네슘 이차전지용 전해액
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 마그네슘염의 농도는 0
|
| 10 |
10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 전해액;양극; 및음극을 포함하는 마그네슘 이차전지
|
