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하기 [화학식 1]로 표시되는 고분자 유기 반도체 화합물:[화학식 1]상기 [화학식 1]에서,상기 R1은 탄소수 1 내지 10의 알콕시카르보닐기이고, 상기 R2는 탄소수 1 내지 40의 알킬기이며, 상기 Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다
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제1항에 있어서,상기 R1은 열처리에 의해서 열적으로 제거되는 작용기인 것을 특징으로 하는 고분자 유기 반도체 화합물
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제1항에 있어서,상기 고분자 유기 반도체 화합물의 수평균분자량은 12,000-15,00 kg/mol이고, 중량평균분자량은 40,000-55,000 kg/mol인 것을 특징으로 하는 고분자 유기 반도체 화합물
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제1항에 있어서,상기 [화학식 1]은 하기 [화학식 2]로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자 유기 반도체 화합물:[화학식 2]
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하기 [화학식 1]로 표시되는 고분자 유기 반도체 화합물을 복수 개로 포함하는 양극성(ambipolar) 유기 반도체 박막으로서,인접한 고분자간의 배열이 하기 [구조식 1]로 표시되는 것을 특징으로 하는 양극성 유기 반도체 박막:[화학식 1]상기 [화학식 1]에서,상기 R1은 탄소수 1 내지 10의 알콕시카르보닐기이고, 상기 R2는 탄소수 1 내지 40의 알킬기이며, 상기 Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다
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제5항에 있어서,상기 양극성(ambipolar) 유기 반도체 박막의 주극성이 p형 반도체인 것을 특징으로 하는 양극성 유기 반도체 박막
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제5항에 있어서,상기 양극성 유기 반도체 박막은 열처리에 의해서 주극성이 n형 반도체가 되는 것을 특징으로 하는 양극성 유기 반도체 박막
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제5항에 따른 양극성 유기 반도체 박막을 열처리하여 인접한 고분자 간에 수소 결합이 망구조로 형성되어 인접한 고분자와 배열이 하기 [구조식 2]로 표시되는 것을 특징으로 하는 양극성 유기 반도체 박막:[구조식 2]상기 [구조식 2]에서,상기 R1은 탄소수 1 내지 10의 알콕시카르보닐기이고, 상기 R2는 탄소수 1 내지 40의 알킬기이며, 상기 Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다
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제8항에 있어서,상기 양극성 유기 반도체 박막의 주극성이 n형 반도체인 것을 특징으로 하는 양극성 유기 반도체 박막
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제5항에 따른 유기 반도체 박막 및 제8항에 따른 유기 반도체 박막을 포함하는 유기전계효과 트랜지스터(OFET)
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제5항에 따른 유기 반도체 박막 및 제8항에 따른 유기 반도체 박막을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED)
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제5항에 따른 유기 반도체 박막 및 제8항에 따른 유기 반도체 박막을 포함하는 유기 태양 전지
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(a) n-옥타데실트리메톡시실란(OTS)으로 처리된 SiO2/Si 기판 상에 하기 [화학식 1]로 표시되는 고분자 유기 반도체 화합물이 용매 중에 용해 또는 분산된 유기 반도체 조성물을 이용하여 p형 반도체 박막을 형성하는 단계;(b) n-옥타데실트리메톡시실란(OTS)으로 처리된 SiO2/Si 기판 상에 하기 [화학식 1]로 표시되는 고분자 유기 반도체 화합물이 용매 중에 용해 또는 분산된 유기 반도체 조성물을 이용하여 반도체 박막을 형성 후, 150-250 ℃에서 열처리하여 n형 반도체 박막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 p형 반도체 박막과 n형 반도체 박막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기전계효과 트랜지스터의 제조방법:[화학식 1]상기 [화학식 1]에서,상기 R1은 탄소수 1 내지 10의 알콕시카르보닐기이고, 상기 R2는 탄소수 1 내지 40의 알킬기이며, 상기 Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다
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