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가스센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015203169
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 가스센서 제조방법은 a) 기판 상 도포된 제1포토레지스트를 노광 및 현상하여, 서로 이격된 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극을 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계; b) 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 포토레지스트와이어를 열분해하여, 서로 연결되어 일체화된 한 쌍의 탄소전극 및 탄소와이어를 형성하는 단계; c) 한 쌍의 탄소전극 및 탄소와이어가 형성된 기판 상 제2포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상하여 상기 한 쌍의 탄소전극을 덮고 상기 탄소와이어를 노출하는 포토레지스트희생층을 형성하는 단계; d) 상기 포토레지스트희생층에 의해 노출된 탄소와이어에 금속산화물 시드를 형성한 후, 포토레지스트희생층을 제거하는 단계; 및 e) 상기 금속산화물 시드를 성장시켜 상기 탄소와이어 표면에 금속산화물나노와이어를 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01) G03F 7/16 (2006.01.01) C01B 31/02 (2006.01.01) C30B 1/02 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020130104283 (2013.08.30)
출원인 에스케이이노베이션 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2131412-0000 (2020.07.01)
공개번호/일자 10-2015-0026012 (2015.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20200805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.08.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이이노베이션 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신흥주 대한민국 울산광역시 울주군
2 임영진 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층
2 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
4 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이이노베이션 주식회사 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0796144-10
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0109125-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0857220-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511160-94
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0863290-01
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0899507-01
9 보정요구서
Request for Amendment
2018.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0142635-86
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5260828-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5263004-74
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0905528-27
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0157007-39
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0156970-04
15 등록결정서
Decision to grant
2020.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0431617-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
17 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5018035-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상 도포된 제1포토레지스트를 노광 및 현상하여, 서로 이격된 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극을 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계;b) 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 포토레지스트와이어를 열분해하여, 서로 연결되어 일체화된 한 쌍의 탄소전극 및 탄소와이어를 형성하는 단계;c) 한 쌍의 탄소전극 및 탄소와이어가 형성된 기판 상 제2포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상하여 상기 한 쌍의 탄소전극을 덮고 상기 탄소와이어를 노출하는 포토레지스트희생층을 형성하는 단계;d) 상기 포토레지스트희생층에 의해 노출된 탄소와이어에 금속산화물 시드를 형성한 후, 포토레지스트희생층을 제거하는 단계; 및e) 상기 금속산화물 시드를 성장시켜 상기 탄소와이어 표면을 감싸도록 방사상의 금속산화물나노와이어를 형성하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속산화물나노와이어는 상기 탄소와이어에서 발생하는 줄열에 의해 성장된 것인 가스센서 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 a) 단계는a1) 절연막이 형성된 기재 상 제1-1포토레지스트를 도포한 후, 노광 및 현상하여, 상기 센싱영역에 위치하는 절연막 영역이 노출된 절연막에칭마스크를 형성하는 단계;a2) 상기 절연막에칭마스크를 이용하여 센싱영역에 위치하는 절연막 영역을 제거하고 절연막에칭마스크를 제거하는 단계; a3) 상기 센싱영역에 위치하는 절연막 영역이 제거된 절연막을 기재에칭마스크로하여, 상기 센싱영역에 위치하는 기재를 부분식각하여 요부홈을 형성하는 단계; 및a4) 요부홈이 형성된 기재를 기판으로, 기판 상 상기 제1포토레지스트를 도포하는 단계;를 더 포함하는 가스센서 제조방법
4 4
제 1항 내지 제 3항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 e) 단계의 성장은 금속산화물 전구체와 상기 탄소와이어를 접촉시킨 후, 탄소와이어에서 발생하는 줄열에 의해, 상기 시드로부터 단결정체의 금속산화물 나노와이어가 형성되는 가스센서 제조방법
5 5
제 1항 내지 제 3항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 a) 단계는기판 상 제1포토레지스트를 도포하는 단계;서로 이격 대향하는 한 쌍의 전극과 대응하는 형상을 갖는 전극형성용 포토마스크를 이용하여 제1포토레지스트를 노광하는 단계;와이어 형상을 갖는 와이어형성용 포토마스크를 이용하여 전극형성용 포토마스크에 의해 노광된 한 쌍의 노광 영역과 와이어형성용 포토마스크에 의해 노광되는 노광 영역이 서로 연결되도록 제1포토레지스트를 재노광하는 단계; 및재노광된 제1포토레지스트를 현상하여 서로 이격된 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극을 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 재노광시, 상기 제1포토레지스트의 표면영역이 부분적으로 노광되는 가스센서 제조방법
7 7
i) 요부홈이 형성된 기판 상에 도포된 제1포토레지스트를 노광 및 현상하여, 상기 요부홈을 사이에 두고 서로 이격된 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 요부홈 상부에 위치하며 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극을 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계; j) 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 포토레지스트와이어를 열분해하여, 서로 연결되어 일체화된 한 쌍의 탄소전극 및 탄소와이어를 형성하는 단계; 및k) 상기 탄소와이어 표면을 감싸도록 방사상의 금속산화물 나노와이어를 형성하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 k) 단계는k1) 탄소와이어 표면에 금속산화물 시드를 코팅하는 단계;k2) 금속산화물 전구체와 상기 탄소와이어를 접촉시킨 후, 탄소와이어에서 발생하는 줄열에 의해 상기 금속산화물 시드로부터 단결정체의 금속산화물 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 i) 단계는기판 상 제1포토레지스트를 도포하는 단계;서로 이격 대향하는 한 쌍의 전극과 대응하는 형상을 갖는 전극형성용 포토마스크를 이용하여 제1포토레지스트를 노광하는 단계;와이어 형상을 갖는 와이어형성용 포토마스크를 이용하여 전극형성용 포토마스크에 의해 노광된 한 쌍의 노광 영역과 와이어형성용 포토마스크에 의해 노광되는 노광 영역이 서로 연결되도록 제1포토레지스트를 재노광하는 단계; 및재노광된 제1포토레지스트를 현상하여 서로 이격된 한 쌍의 포토레지스트 전극 및 상기 한 쌍의 포토레지스트 전극을 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 재노광시, 상기 제1포토레지스트의 표면영역이 부분적으로 노광되는 가스센서 제조방법
11 11
제2항 또는 제8항에 있어서,상기 탄소와이어가 금속산화물 전구체 용액에 침지된 상태에서, 상기 탄소와이어의 줄열이 발생하는 가스센서 제조방법
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