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제1 기판 상에 나노 물질과 고분자 물질을 함께 방사하여, 상기 나노 물질과 상기 고분자 물질을 포함하는 동축 이중층 화이버를 형성하는 단계; 및상기 동축 이중층 화이버로부터 상기 고분자 물질을 제거하여, 상기 나노 물질로 구성된 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동축 이중층 화이버를 형성하는 단계는, 전기 방사 방법을 이용하여 상기 나노 물질과 상기 고분자 물질을 함께 방사하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동축 이중층 화이버를 형성하는 단계는, 상기 나노 물질로부터 형성된 나노 물질층이 내측에 위치하고, 상기 고분자 물질로부터 형성된 고분자 물질층이 상기 나노 물질층의 외측에 둘러싸면서 위치하는 동축 실린더의 형상의 상기 동축 이중층 화이버를 구현하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동축 이중층 화이버는, 상기 고분자 물질로부터 형성된 고분자 물질층이 내측에 위치하고, 상기 나노 물질로부터 형성된 나노 물질층이 상기 고분자 물질층의 외측에 둘러싸면서 위치하는 동축 실린더의 형상의 상기 동축 이중층 화이버를 구현하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동축 이중층 화이버를 형성하는 단계는, 상기 고분자 물질과 상기 나노 물질을 상기 제1 기판 상에 겔 상태로 방사하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동축 이중층 화이버를 형성하는 단계는, 100 V 내지 30000 V 의 범위의 전압을 인가하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극은 서로 겹쳐져 연결되어 형성된 도전성 1차원, 2차원 또는 3차원 네트워크 구조체를 구성하도록 배열되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극은 그물망(mesh) 형상을 가지거나, 웹(web) 형상을 가지도록 배열되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 물질은 도전성 물질을 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 물질은 상기 나노 물질에 비하여 높은 점성을 가지는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동축 이중층 화이버를 형성하는 단계를 수행한 후에, 상기 동축 이중층 화이버를 상기 제1 기판으로부터 분리하여 제2 기판에 전사하는 단계;를 더 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 물질을 제거하는 단계를 수행하기 전에, 상기 동축 이중층 화이버를 어닐링하는 단계;를 더 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 물질을 제거하는 단계를 수행한 후에, 상기 투명 전극을 어닐링하는 단계;를 더 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동축 이중층 화이버로부터 상기 고분자 물질을 제거하는 단계는 유기 용매를 이용하여 수행되거나, 또는 반응성 이온 식각을 이용하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 물질을 제거한 후에,상기 나노 물질 상에 투명 도전층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 투명 도전층은 그래핀, 그라파이트, 또는 탄소나노튜브를 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 기판은 프리 스탠딩(free standing) 기판인, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 기판은, 중앙 부분이 뚫려있고, 외각 테두리가 연결된 형상을 가지거나, 중앙 부분이 뚫려있고, 외각 테두리가 연결되지 않은 형상을 가지는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 18 항 중 한 항의 투명 전극의 제조 방법에 의하여 제조되되, 가운데가 빈 중공 형상을 가지는, 투명 전극
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