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광대역 이중 튜닝 링 전압제어 발진기

  • 기술번호 : KST2015203218
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전압제어 발진기에 관한 것이다. 본 전압제어 발진기는, 제1 전압과 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압 사이를 소정 개수로 균등하게 분할한 전압 레벨 중 선택된 전압 레벨에 대응하는 전압을 출력하는 DAC(Digitla-to-Analog Converter)부, 제1 및 제2 지연 셀을 포함하는 두단계 링 VCO부, 및 DAC부로부터 출력되는 전압을 정전압으로 변환하여, 주파수 대역을 설정하는 설정 전압으로 VOC부에 공급하는 전압 레귤레이터부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 전압 대 주파수 이득(KVCO )을 조절할 수 있는 기능을 갖는 광대역 이중 튜닝 링 전압제어 발진기가 제공된다.
Int. CL H03K 3/354 (2006.01)
CPC H03K 3/354(2013.01)
출원번호/일자 1020130146543 (2013.11.28)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-1615732-0000 (2016.04.20)
공개번호/일자 10-2015-0062032 (2015.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20160511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재혁 대한민국 울산광역시 남구
2 유세연 대한민국 울산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1090497-75
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0027357-36
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0954379-28
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0054721-35
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0472561-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0894901-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0894900-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
10 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0060988-60
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129407-60
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0370136-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전압과 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압 사이를 소정 개수로 균등하게 분할한 전압 레벨 중 선택된 전압 레벨에 대응하는 전압을 출력하는 DAC(Digital-to-Analog Converter)부;제1 및 제2 지연 셀을 포함하는 두 단계 링 VCO부; 및 상기 DAC부로부터 출력되는 전압을 정전압으로 변환하여, 주파수 대역을 설정하는 설정 전압으로 상기 VCO부에 공급하는 전압 레귤레이터부;를 포함하고,상기 제1 및 제2 지연 셀은,소스가 상기 설정 전압에 연결되는 제1 PMOSFET;소스가 상기 설정 전압에 연결되는 제2 PMOSFET;드레인은 상기 제1 PMOSFET의 게이트 및 드레인이 연결된 제1 노드에 연결되고, 소스는 접지단에 연결되는 제1 NMOSFET;드레인은 상기 제2 PMOSFET의 게이트 및 드레인이 연결된 제2 노드에 연결되고, 소스는 접지단에 연결되는 제2 NMOSFET; 및상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결된 래치 뱅크(latch bank)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
2 2
제1항에 있어서,상기 DAC부는, 64개의 저항을 사용하는 6-비트 스트링 구조의 DAC인 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
3 3
제2항에 있어서,상기 DAC부는, 전압 레벨의 선택을 위한 두 개의 3-비트 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
4 4
제1항에 있어서,상기 전압 레귤레이터부는,(-) 입력단에 상기 DAC부의 출력 전압이 연결되는 연산증폭기; 및게이트는 상기 연산증폭기의 출력단에 연결되고, 드레인에는 전원 전압이 연결되며, 소스는 상기 연산증폭기의 (+) 입력단에 연결되어 상기 링 VCO부의 발진 주파수 대역을 설정하는 전압을 공급하는 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 래치 뱅크는, 제1 내지 제4 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 내지 제4 래치부 각각은,소스에는 상기 설정 전압이 연결되고, 드레인에는 상기 제1 노드가 연결되는 제3 PMOSFET;소스에는 상기 설정 전압이 연결되고, 드레인에는 상기 제2 노드가 연결되는제4 PMOSFET;소스는 상기 제1 노드가 연결되고, 드레인은 상기 제4 PMOSFET의 게이트에 연결되는 제3 NMOSFET; 및소스는 상기 제2 노드가 연결되고, 드레인은 상기 제3 PMOSFET의 게이트에 연결되며, 게이트는 상기 제3 NMOSFET의 게이트에 연결되는 제4 NMOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
8 8
제6항에 있어서,상기 래치 뱅크는, 상기 제1 내지 제4 래치부 중에서 선택된 래치부에 설정된 전압을 공급하는 스위칭부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
9 9
제1항 내지 제4항, 또는 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항의 전압제어 발진기를 이용하여 기준 주파수를 생성하는 전자기기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 울산과학연구단지육성사업 기초·원천 R＆D과제 지원사업 CMOS 테라헤르츠 기반 비접촉식 선박 도장 두께 측정 기술 연구