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주파수를 발진하는 LC 공진 회로와 발진 주파수를 증폭하는 증폭 회로를 포함하는 제1 회로부;스위칭 저항 성분에 의한 전압 강하를 보상하는 회로와, 상기 제1 회로부와 연결시 전체 트랜스 컨덕턴스를 증가시키기 위한 회로를 포함하는 제2 회로부; 및상기 제1 회로부와 상기 제2 회로부의 연결을 단속하는 스위칭부를 포함하며,상기 LC 공진 회로는,전원전압이 중간노드에 연결된 인덕터;상기 인덕터에 병렬로 연결되는 커패시터 뱅크; 및상기 커패시터 뱅크에 병렬로 연결되는 가변 커패시터를 포함하며,상기 증폭 회로는,드레인은 상기 가변 커패시터의 일단에 연결되고, 소스는 접지단에 연결되는 제1 MOSFET;드레인은 상기 가변 커패시터의 타단 및 상기 제1 MOSFET의 게이트에 연결되고, 소스는 상기 접지단에 연결되며, 게이트는 상기 제1 MOSFET의 드레인에 연결되는 제2 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 스위칭부는, 고주파 모드에서 상기 제1 회로부와 상기 제2 회로부의 연결을 차단하여 전체 기생 커패시턴스를 감소시키고, 저주파 모드에서 상기 제1 회로부와 상기 제2 회로부를 연결하여 전체 트랜스 컨덕턴스를 증가시키는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 스위칭 저항 성분에 의한 전압 강하를 보상하는 회로는, 제1 커패시터;일단이 상기 제1 커패시터의 일단에 연결된 제1 저항;일단이 상기 제1 저항의 타단에 연결된 제2 저항; 및일단이 상기 제2 저항의 타단에 연결된 제2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
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제5항에 있어서,상기 제1 회로부와 연결시 전체 트랜스 컨덕턴스를 증가시키기 위한 회로는,드레인은 상기 제1 커패시터의 타단에 연결되고, 소스는 접지단에 연결되며, 게이트는 상기 제2 저항과 상기 제2 커패시터의 연결노드에 연결되는 제3 MOSFET; 및드레인은 상기 제2 커패시터의 타단에 연결되고, 소소는 상기 접지단에 연결되며, 게이트는 상기 제1 커패시터와 상기 제1 저항의 연결노드에 연결되는 제4 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
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제6항에 있어서,상기 스위칭부는,상기 제2 MOSFET의 드레인과 상기 제2 커패시터의 타단 사이의 연결을 단속하는 제1 스위치;상기 제1 MOSFET의 드레인과 상기 제1 커패시터의 타단 사이의 연결을 단속하는 제2 스위치; 및상기 인덕터의 중간노드와 상기 제1 및 제2 저항의 연결노드 사이의 연결을 단속하는 제3 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기
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제1항에 있어서,주파수 모드에 따라, 상기 스위칭부의 온/오프 동작을 제어하는 제어 회로를 더 포함하는 전압제어 발진기
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제1항, 제2항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항의 전압제어 발진기를 이용하여 기준 주파수를 생성하는 전자기기
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