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하기 화학식 1로 표시되고, Mn의 평균 산화수는 3
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제1항에 있어서, 상기 M은 Be, Sr, Ba, Sc, Y, Lu, Zr, Cr, Mo, W, Ru, Os, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Cd, Co, Ni, Mn, Fe, Al, Mg, Zn, Ti, 또는 이들의 조합인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 양극 활물질은, 또 다른 양극 활물질의 표면 코팅 물질로 이용되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제3항에 있어서, 상기 또 다른 양극 활물질은, 스피넬계 리튬 전이금속 화합물, 층상계 리튬 전이금속 화합물, Ni계 리튬 전이금속 화합물 또는 이들의 조합인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제3항에 있어서, 상기 양극 활물질은, 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층의 두께는 1nm 내지 5㎛인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제3항에 있어서, 상기 양극 활물질은, 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층의 두께는 1nm 내지 100nm인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제3항에 있어서, 상기 양극 활물질은, 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층은 코어에 대해 에피택시얼(epitaxial) 층으로 형성된 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제3항에 있어서, 상기 양극 활물질은, 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층은 전체적으로 스피넬 구조(Fd-3m)를 가지는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제3항에 있어서, 상기 양극 활물질은, 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층은 금속이온의 자리바꿈으로 파생된 테트라고날 상(I41/amd)과 레이어드상 (R-3m)을 국부적으로 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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리튬의 가역적인 인터칼레이션 및 디인터칼레이션이 가능한 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 준비하는 단계; 및상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 열처리하는 단계;를 포함하는 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 열처리하는 단계;는 500 내지 800℃에서 수행되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 열처리하는 단계;는 10분 내지 5 시간 동안 수행되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 M은 Be, Sr, Ba, Sc, Y, Lu, Zr, Cr, Mo, W, Ru, Os, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Cd, Co, Ni, Mn, Fe, Al, Mg, Zn, Ti, 또는 이들의 조합인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 리튬의 가역적인 인터칼레이션 및 디인터칼레이션이 가능한 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 준비하는 단계;는, 리튬 원료 물질, M 원료 물질 및 Mn 원료 물질을 포함하는 혼합 용액을 준비하는 단계; 및상기 혼합 용액을 분무 건조하는 단계;를 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 리튬 원료 물질은 리튬 아세테이트(acetate), 리튬 나이트레이트(nitrate), 리튬 설페이트(sulfate), 리튬 카보네이트(carbonate), 리튬 시트레이트(citrate), 리튬 프탈레이트(phtalate), 리튬 퍼클로레이트(perchlorate), 리튬 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 리튬 아크릴레이트(acrylate), 리튬 포메이트(formate), 리튬 옥살레이트(oxalate), 리튬 할라이드 (halide), 리튬 옥시할라이드(oxyhalide), 리튬 보라이드(boride), 리튬 옥사이드(oxide), 리튬 설파이드(sulfide), 리튬 퍼옥사이드(peroxide), 리튬 알콕사이드(alkoxide), 리튬 하이드록사이드(hydroxide), 리튬 암모늄(ammonium), 리튬 아세틸아세톤(acetylacetone), 이들의 수화물, 및 이들의 조합이고, 상기 M 원료 물질은, M 아세테이트(acetate), M 나이트레이트(nitrate), M 설페이트(sulfate), M 카보네이트(carbonate), M 시트레이트(citrate), M 프탈레이트(phtalate), M 퍼클로레이트(perchlorate), M 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), M 아크릴레이트(acrylate), M 포메이트(formate), M 옥살레이트(oxalate), M 할라이드 (halide), M 옥시할라이드(oxyhalide), M 보라이드(boride), M 옥사이드(oxide), M 설파이드(sulfide), M 퍼옥사이드(peroxide), M 알콕사이드(alkoxide), M 하이드록사이드(hydroxide), M 암모늄(ammonium), M 아세틸아세톤(acetylacetone), 이들의 수화물, 및 이들의 조합이고,상기 Mn 원료 물질은, 망간 아세테이트(acetate), 망간 나이트레이트(nitrate), 망간 설페이트(sulfate), 망간 카보네이트(carbonate), 망간 시트레이트(citrate), 망간 프탈레이트(phtalate), 망간 퍼클로레이트(perchlorate), 망간 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 망간 아크릴레이트(acrylate), 망간 포메이트(formate), 망간 옥살레이트(oxalate), 망간 할라이드 (halide), 망간 옥시할라이드(oxyhalide), 망간 보라이드(boride), 망간 옥사이드(oxide), 망간 설파이드(sulfide), 망간 퍼옥사이드(peroxide), 망간 알콕사이드(alkoxide), 망간 하이드록사이드(hydroxide), 망간 암모늄(ammonium), 망간 아세틸아세톤(acetylacetone), 이들의 수화물, 및 이들의 조합인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법은, 상기 리튬의 가역적인 인터칼레이션 및 디인터칼레이션이 가능한 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 준비하는 단계; 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅하는 단계; 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 코팅된 또 다른 양극 활물질을 열처리하는 단계;를 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 또 다른 양극 활물질은, 스피넬계 리튬 전이금속 화합물, 층상계 리튬 전이금속 화합물, Ni계 리튬 전이금속 화합물 또는 이들의 조합인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅하는 단계;에서, 상기 코팅층의 두께는 1nm 내지 5㎛인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅하는 단계;에서, 상기 코팅층의 두께는 1nm 내지 100nm인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅하는 단계;에서, 상기 코팅층은 코어에 대해 에피택시얼(epitaxial) 층으로 형성된 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅하는 단계;에서, 상기 코팅층은 전체적으로 스피넬 구조(Fd-3m)를 가지는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 또 다른 양극 활물질의 표면에 코팅하는 단계;에서, 상기 코팅층은 금속이온의 자리바꿈으로 파생된 테트라고날 상(I41/amd)과 레이어드상 (R-3m)을 국부적으로 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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양극 활물질을 포함하는 양극; 음극 활물질을 포함하는 음극; 및 전해질을 포함하고, 상기 양극 활물질은 제1항에 따른 양극 활물질인 것인 리튬 이차 전지
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