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(a) 기판위에 절연층을 증착하는 단계;(b) 상기 절연층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계;(c) 상기 포토레지스트를 기둥 모양의 포토마스크를 통하여 1차 노광하여 상기 절연층의 상부에 포토레지스트 기둥부를 형성하는 단계;(d) 상기 기둥부 사이의 포토레지스트 상부를 와이어 형태의 포토마스크를 통하여 상기 기둥부를 연결하는 마이크로 크기의 와이어 형태로 2차 노광함으로서, 상기 포토레지스트 기둥부를 서로 연결하는 마이크로 포토레지스트 와이어를 형성하는 단계; (e) 상기 (c), (d) 단계에서 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 현상(development)으로 제거하는 단계; 및(f) 상기 (e) 단계 이후 남아있는 상기 기둥부 및 마이크로 크기의 와이어를 열분해하여 공중부유형 단일 탄소나노와이어를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 (f) 단계의 열분해는 제 1 단계 및 제 2 단계의 두 단계로 행해지며, 제 2 단계가 제 1단계보다 높은 온도에서 행해지는 공중부유형 단일 탄소나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 공중부유형 단일 탄소나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층은 이산화규소 또는 실리콘 나이트라이드로 이루어지는 공중부유형 단일 탄소나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 SU-8인 공중부유형 단일 탄소나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 (f) 단계의 열분해에 있어서 상기 제 1단계는 300 내지 400 ℃에서 30 내지 90분 동안 행해지며, 상기 제 2단계는 600 내지 1000 ℃에서 30 내지 90분 동안 행해지는 공중부유형 단일 탄소나노와이어의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 공중부유형 탄소나노와이어의 두께가 250 nm 이하, 너비가 250 nm 이하인 공중부유형 단일 탄소나노와이어의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 두께는 180 내지 240 nm이며, 상기 너비는 170 내지 220 nm인 공중부유형 단일 탄소나노와이어의 제조방법
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(a) 기판위에 절연층을 증착하는 단계;(b) 상기 절연층 상에 포토레지스트를 1차 코팅하는 단계;(c) 상기 1차 코팅된 포토레지스트를 평면 전극 모양의 포토마스크를 통하여 1차 노광하여 상기 절연층의 상부에 포토레지스트 평면 전극부를 형성하는 단계;(d) 상기 (c) 단계에서 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 현상(development)으로 제거하는 단계;(e) 상기 (d) 단계 이후 남아있는 상기 절연층 및 평면 전극부 상에 포토레지스트를 2차 코팅하는 단계;(f) 상기 2차 코팅된 포토레지스트를 기둥 모양의 포토마스크를 통하여 2차 노광하여 상기 절연층의 상부에 포토레지스트 기둥부를 형성하는 단계; (g) 상기 기둥부 사이의 포토레지스트 상부를 와이어 형태의 포토마스크를 통하여 상기 기둥부를 연결하는 마이크로 크기의 와이어 형태로 3차 노광함으로서, 상기 포토레지스트 기둥부를 서로 연결하는 마이크로 포토레지스트 와이어를 형성하는 단계; (h) 상기 (g) 단계에서 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 현상(development)으로 제거하는 단계; 및(i) 상기 (h) 단계 이후 남아있는 상기 평면 전극부, 기둥부 및 마이크로 크기의 와이어를 열분해하여 평면 전극과 공중부유형 탄소나노메쉬를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 (i) 단계의 열분해는 제 1 단계 및 제 2 단계의 두 단계로 행해지며, 제 2 단계가 제 1단계보다 높은 온도에서 행해지는 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 절연층은 이산화규소 또는 실리콘 나이트라이드로 이루어지는 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 1차 코팅 및 2차 코팅된 포토레지스트는 SU-8인 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 2차 코팅된 포토레지스트는 상기 1차 코팅된 포토레지스트보다 두껍게 형성되는 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 와이어 형태의 포토마스크의 와이어 사이의 각도(θ)는 40 내지 60도인 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 제 1단계는 300 내지 400 ℃에서 30 내지 90분 동안 행해지며, 상기 제 2단계는 600 내지 1000 ℃에서 30 내지 90분 동안 행해지는 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 공중부유형 탄소나노메쉬의 너비가 200 내지 400 nm, 탄소나노와이어 간격이 3 내지 7 μm인 중첩형 나노 전극쌍의 제조방법
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