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기판(500);상기 기판(500) 상에 전자선증착, 스퍼터 또는 스프레이 증착된 투명한 전도성의 투명전극(400);상기 투명전극(400)에 증착된 제2 금속층(300);상기 제2 금속층(300)에 적층된 반도체층 혹은 광촉매층(200); 상기 반도체 혹은 광촉매층(200) 상에 적층된 제1 금속층(100); 및상기 제1 금속층(100), 상기 반도체층 혹은 광촉매층(200) 및 제2 금속층(300)으로 구성된 메타물질의 표면에 흡착되어 형성된 전기촉매(110);를 포함하는 것을 특징으로 하는 메타구조 기반 광전극
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제 1항에 있어서, 상기 제1 금속층(100), 또는 제2 금속층(200)은 Au, Pt, Ag, Ni, Al, Cu 물질로 구성되되, 상기 제1 금속층의 크기는 200 nm 이하의 반지름과 100 nm 이하의 높이를 가지는 반구 혹은 원반형태의 구조이고, 상기 제2 금속층(300)의 두께는 10 nm 이상인 것을 특징으로 하는 메타구조 기반 광전극
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제 1항에 있어서, 상기 반도체층(200)은 GaN, Ge, Si, GaAS, 또는 GaP로 구성되는 것을 특징으로 하는 메타구조 기반 광전극
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제 1항에 있어서, 상기 광촉매층(200)은 TiO2, Fe3O4, ZnO, WO3, BiVO4, SrTiO3, ZnS, ZrO2, SrTiO3, KTaO3, CdS, CdSe, 또는 MoS2 로구성 되는 것을 특징으로 하는 메타구조 기반 광전극
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제 1항에 있어서, 상기 전기촉매(110)는 RuO2, NiO, Co, 또는 Pt 로 구성 되는 것을 특징으로 하는 메타구조 기반 광전극
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제 4항에 있어서, 상기 광촉매층(200)은 나노선 혹은 나노필름 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 메타구조 기반 광전극
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