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전기 방사 방법을 이용하여 제1 기판 상에 고분자 물질을 방사하여, 상기 제1 기판 상에 고분자 화이버를 형성하는 단계;상기 고분자 화이버 상에 나노 물질을 방사하여, 상기 고분자 화이버의 적어도 일부를 둘러싸도록 코팅된 나노 물질층을 형성하는 단계;상기 고분자 화이버 및 상기 나노 물질층을 상기 제1기판으로 부터 분리하여 제2 기판에 전사하는 단계; 및유기 용매를 이용하여 상기 고분자 화이버를 제거하여, 상기 나노 물질층으로 구성된 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 전사하는 단계는,상기 제1 기판의 하측에 상기 제2 기판을 배치시키는 단계; 및상기 제2 기판 상에 상기 고분자 화이버와 상기 나노 물질층을 배치하도록, 상기 제2 기판을 들어올려, 제1 기판으로부터 고분자 화이버와 나노 물질층을 분리시키는 단계를 포함하고,상기 고분자 화이버를 형성하는 고분자 물질은 상기 나노 물질층을 형성하는 상기 나노 물질에 비하여 높은 점성을 가지고,상기 제1 기판은 프리 스탠딩(free standing) 기판이며,상기 제1 기판은 중앙 부분이 뚫려있고, 외각 테두리가 연결된 환형 형상을 가지거나, 중앙 부분이 뚫려있고 외각 테두리가 연결되지 않은 편자(horseshoe) 형상을 가지는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 물질층을 형성하는 단계는, 전기 방사 방법을 이용하여 상기 나노 물질을 상기 고분자 화이버 상에 방사하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 물질층을 형성하는 단계는, 상기 나노 물질을 상기 고분자 화이버 상에 스프레이 형태로 방사하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 물질층을 형성하는 단계는, 100 V 내지 30000 V 의 범위의 전압을 인가하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 물질층을 형성하는 단계는, 상기 고분자 화이버가 내측에 위치하고, 상기 나노 물질층은 상기 고분자 화이버의 외측에서 둘러싸면서 위치하는 동축 실린더의 형상을 구현하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극은 서로 겹쳐져 연결되어 형성된 도전성 1차원, 2차원 또는 3차원 네트워크 구조체를 구성하도록 배열되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극은 그물망(mesh) 형상을 가지거나, 웹(web) 형상을 가지도록 배열되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 물질층은 도전성 물질을 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 화이버는 상기 제1 기판 상에서 서로 겹쳐져 연결되어 형성된 1차원, 2차원 또는 3차원 네트워크 구조체를 구성하도록 배열되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 화이버는 상기 제1 기판 상에서 그물망(mesh) 형상을 가지거나, 웹(web) 형상을 가지도록 배열되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 화이버를 형성하는 단계는, 상기 나노 물질층을 형성하는 단계에 비하여 낮은 전압을 이용하여 수행되는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 물질층을 형성하는 단계를 수행한 후에, 상기 나노 물질층을 어닐링하는 단계를 더 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 화이버를 제거한 후에,상기 나노 물질층 상에 투명 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 도전층은 그래핀, 그라파이트, 또는 탄소나노튜브를 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
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