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하기 화학식1로 표현되는 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 M은 Pb양이온, Sn양이온, Ge양이온, Ca양이온, Sr양이온, 또는 이들의 조합인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물
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제 1항 또는 제 2 항에 있어서,상기 Y는 Cs 양이온이며, 상기 Z는 [CH3NH3]+ 인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물
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제 3 항에 있어서, 상기 X는 I-, Cl-, Br- 또는 이들의 조합인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물
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원료물질로써 금속원자의 할로겐 화합물; 알칼리금속의 할로겐 화합물; 및 알킬기를 포함하는 할로겐 화합물, 아민기를 포함하는 할로겐 화합물 또는 이들의 조합을 제공하는 단계;상기 원료물질을 용매에 녹여 페로브스카이트 구조 화합물 전구체 용액을 제조하는 단계; 및상기 페로브스카이트 구조 화합물 전구체 용액을 질소가스 또는 불활성가스 분위기에서 교반하는 단계;를 포함하는 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법이되,상기 제조된 페로브스카이트 구조 화합물은,하기 화학식1로 표현되는 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 아민기를 포함하는 할로겐 화합물은 아민기가 치환된 알킬기인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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8
제 6 항에 있어서,상기 알킬기를 포함하는 할로겐 화합물은 C1-20의 알킬기인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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9
제 7 항에 있어서,상기 아민기를 포함하는 할로겐 화합물은 메틸아민의 할로겐 화합물인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 알칼리 금속은 Cs 인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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11
제 10 항에 있어서,상기 금속원자의 할로겐 화합물은 Pb, Sn, Ge, Ca, Sr 또는 이들의 조합의 할로겐 화합물인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 할로겐은 요오드(I), 염소(Cl), 브롬(Br)인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 용매는 γ-부티롤락톤(γ-butyrolactone)(GBL) 또는 N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide)(DMF)인 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 교반하는 단계는 50℃ 내지 70 ℃ 에서 10시간 내지 14시간 동안 교반하는 태양전지 광흡수체용 페로브스카이트 구조 화합물의 제조방법
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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 광흡수체; 및상기 광흡수체 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,상기 광흡수체는 화학식1로 표현되는 페로브스카이트 구조 화합물을 포함하는 태양전지
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16
제 15 항에 있어서,상기 M은 Pb양이온, Sn양이온, Ge양이온, Ca양이온, Sr양이온 또는 이들의 조합인 태양전지
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제 16 항에 있어서,상기 Y는 Cs+이며, 상기 Z는 [CH3NH3]+ 인 태양전지
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제 17 항에 있어서, 상기 X는 I-, Cl-, Br- 또는 이들의 조합인 태양전지
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제 18 항에 있어서,상기 제 1 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연 또는 이들의 조합인 태양전지
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제 20 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자 또는 이들의 조합인 태양전지
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제 21 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 광흡수체 사이에 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS) 정공수송층을 더 포함하는 태양전지
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제 22 항에 있어서,상기 광흡수체와 상기 제 2 전극 사이에 PCBM ([6,6]-phenyl-C60 butyric acid methyl ester)을 더 포함하는 태양전지
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