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반도체기판(10); 및상기 반도체기판(10) 상에 일정간격 이격되어 각각 증착된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)과, 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 성장되어 형성된 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)와, 상기 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)의 표면에 증착된 촉매층(50)을 포함하는 접합센서소자(100);를 포함하며,상기 접합센서소자(100)는 상기 반도체기판(10) 상에 하나 이상 배치되도록 형성된 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이
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제 1항에 있어서,상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)은,P형의 금속산화물 물질 및 P형의 금속산화물 물질의 동종 조합, N형의 금속산화물 물질 및 N형의 금속산화물 물질의 동종 조합, P형의 금속산화물 물질 및 N형의 금속산화물 물질의 이종 조합 또는, N형의 금속산화물 물질 및 P형의 금속산화물 물질의 이종 조합 중 어느 하나의 동종 또는 이종 조합으로 각각 이루어진 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이
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제 2항에 있어서,상기 제1나노구조체(21)와 제2나노구조체(31)는, 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 성장되면서 상기 일정간격 이격된 공간상에서 상호 네트워크 형태로 연결되어 접합부(40)를 형성하는 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이
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제 3항에 있어서,상기 촉매층(50)은, 상기 접합부(40)가 형성된 부분에 국한되어 증착되는 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이
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제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체기판(10) 상에는 복수 개의 접합센서소자(100)가 배치되어 형성되되,하나의 접합센서소자(100)에 형성된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)의 조합은, 다른 하나의 접합센서소자(100)에 형성된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)의 조합과 서로 다른 동종 또는 이종의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이
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반도체기판(10) 상에 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)이 일정간격 이격되어 형성되도록 증착하는 씨드층 증착 단계(S210);상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)을 열처리 하여 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)를 성장시키는 나노구조체 성장 단계(S230); 및상기 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)의 표면에 촉매층(50)이 형성되도록 증착하는 촉매층 증착 단계(S250);를 포함하는 접합센서 어레이 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 씨드층 증착 단계(S210)는,상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)을 P형의 금속산화물 물질 및 P형의 금속산화물 물질의 동종 조합, N형의 금속산화물 물질 및 N형의 금속산화물 물질의 동종 조합, P형의 금속산화물 물질 및 N형의 금속산화물 물질의 이종 조합 또는, N형의 금속산화물 물질 및 P형의 금속산화물 물질의 이종 조합 중 어느 하나의 동종 또는 이종 조합으로 각각 이루어지도록 증착하는 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 나노구조체 성장 단계(S230)는,상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 제1나노구조체(21)와 제2나노구조체(31)가 성장되면서 상기 일정간격 이격된 공간상에서 상호 네트워크 형태로 연결되어 접합부(40)를 형성하는 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 촉매층 증착 단계(S250)는,상기 접합부(40)가 형성된 부분에 국한되어 촉매층(50)이 형성되도록 증착하는 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이 제조방법
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제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 씨드층 증착 단계(S210)는,상기 반도체기판(10) 상에는 복수 개의 접합센서소자(100)가 형성되도록 복수의 위치에 각각의 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)이 형성되도록 증착하되,하나의 접합센서소자(100)를 형성하기 위한 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)의 조합은, 다른 하나의 접합센서소자(100)를 형성하기 위한 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)의 조합과 서로 다른 동종 또는 이종의 조합으로 이루어지도록 증착되는 것을 특징으로 하는 접합센서 어레이 제조방법
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