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붕소와 질소가 동시에 도핑된 반도체용 그래핀 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015203338
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 붕소와 질소가 동시에 도핑된 반도체용 그래핀 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체용 그래핀 및 이의 제조방법에 의해 제조된 그래핀은 질소와 붕소를 동시에 도핑하여 반도체로 사용이 가능하다. 그리하여 종래 제조방법에 의해 제조된 그래핀의 경우 물리적, 화학적, 전기적 안정성에도 불구하고 밴드갭이 없어 반도체로 사용이 불가능하던 그래핀을 반도체로 사용할 수 있게 되어, 그래핀의 적용 분야가 보다 다양해지는 효과가 있다. 또한 분산성이 우수한 그래핀의 제공이 가능하다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020140009713 (2014.01.27)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-1611218-0000 (2016.04.05)
공개번호/일자 10-2015-0089275 (2015.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20160426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종범 대한민국 울산광역시 울주군
2 정선민 대한민국 경기도 이천시 갈산로 **
3 전인엽 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0084264-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0090925-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0100909-67
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0349913-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0442535-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0558001-43
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0675616-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0675603-85
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0802211-84
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.12.21 수리 (Accepted) 7-1-2015-0057940-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0059122-88
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.01.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0059139-53
15 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129324-79
16 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0188920-98
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0226112-41
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
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번호 청구항
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1) 밀폐된 용기에 탄소 할라이드 전구체, 붕소 전구체 및 질소 전구체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 투입하여 반응시키는 단계; 및2) 상기 밀폐된 용기 내의 50-400 ℃까지 온도를 상승시켜 유지하는 단계;를 포함하며, 상기 탄소 할라이드 전구체는 CF6, CCl4, C2Cl4, CCl6, C6Cl6, CBr4, C2Br4, C6Br6, CI4, C2I4 및 C6I6로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이고, 상기 붕소 전구체는 BF, BF3, BCl3, BBr3 및 BI3로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이며, 상기 질소 전구체는 N2, NH3, NF3, NCl, NBr3, NI3, NHCl2, NH2Cl, NF5, N2F4 및 N2Cl4로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이고, 상기 붕소의 도핑 비율은 0
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제 9항에 있어서,상기 1)단계에서 탄소 전구체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 부피비는 0
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제 9항에 있어서,상기 2)단계는 50-400 ℃의 온도까지 밀폐 용기의 내부를 상승시킨 후, 이를 0
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제 9항에 있어서,상기 1)단계에서 밀폐된 용기에 투입하는 탄소 전구체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 비율은 밀폐된 용기의 전체 부피 중 10-30 부피%로 투입되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체용 그래핀의 제조방법
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제 9항에 따른 제조방법에 의해 제조된 그래핀을 포함하는 반도체
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제 9항에 따른 제조방법에 의해 제조된 반도체용 그래핀을 포함하는 메모리소자
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23 23
제 9항에 따른 제조방법에 의해 제조된 반도체용 그래핀을 포함하는 전자제품
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1 US2015213915 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9490040 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 핵심개인연구 결정성 이차원 구조의 하이퍼브랜치드 고분자를 이용한 대면적의 결정성탄소박막 제조