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저압 화학기상증착방법을 이용한 단일층의 육방정계 질화붕소의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015203344
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요약 본 발명은 저압 화학기상증착방법(LPCVD법)을 이용한 단일층의 육방정계 질화붕소(Hexagonal boron nitride; h-BN)의 제조방법과, 상기 h-BN으로부터 기판을 회수하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LPCVD법을 이용하여 기판 상의 대면적을 덮을 수 있는 고성능 단일층의 h-BN을 합성할 수 있으며, 전기화학적 버블링 방법을 통해 기판 상에 형성된 h-BN층을 임의의 다른 기판 상으로 옮길 수 있어 기판을 재활용하여 사용할 수 있다. 상기 고성능 단일층의 h-BN은 자외선보다 더 짧은 자외선(deep UV) 광전자 소자를 개발하기 위해 유용한 소재로 사용될 수 있다.
Int. CL C07F 5/05 (2006.01) B01J 6/00 (2006.01) C23C 16/38 (2006.01)
CPC C07F 5/05(2013.01) C07F 5/05(2013.01) C07F 5/05(2013.01)
출원번호/일자 1020130031136 (2013.03.22)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1528664-0000 (2015.06.08)
공개번호/일자 10-2014-0115868 (2014.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20150618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신현석 대한민국 울산 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0252363-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0000830-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0836084-77
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0120963-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0120964-80
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0191296-31
8 등록결정서
Decision to grant
2015.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0365056-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0275469-15
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번호 청구항
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저압 화학기상증착방법(LPCVD법)을 이용한 단일층의 육방정계 질화붕소(Hexagonal boron nitride; h-BN)의 제조방법에 있어서, 암모니아 보란을 가열하는 단계; 및상기 가열된 암모니아 보란을 수소가스를 이용하여 800 내지 1100℃의 온도 및 0
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저압 화학기상증착방법(LPCVD법)을 이용한 단일층의 육방정계 질화붕소(Hexagonal boron nitride; h-BN)의 제조방법에 있어서, 암모니아 보란을 가열하는 단계; 및상기 가열된 암모니아 보란을 수소가스를 이용하여 1400 내지 1500℃의 온도 및 0
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청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 암모니아 보란을 80 내지 130℃로 가열하는 것을 특징으로 하는, LPCVD법을 이용한 단일층의 h-BN의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 울산과학기술대학교 글로벌 프론티어 연구개발사업 2차원 및 차원 융합 소재 합성 및 응용