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리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질;상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 형성되고 탄소재를 포함하는 제1 코팅층; 및상기 제1 코팅층의 외곽에 형성되고 화학적 가교 고분자를 포함하는 제2 코팅층;을 포함하는 음극 활물질
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제1항에서,상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질은 탄소계 물질, 실리콘(Si), SiOx (0003c#x≤2), Si-Y1 합금, 실리콘-탄소 복합체, 주석(Sn)계 물질, 게르마늄(Ge)계 물질, 및 이들의 조합에서 선택되는 적어도 하나인 양극 활물질:상기 Si-Y1에서, Y1은 금속, 알칼리 토금속, 13족 내지 16족 원소, 전이금속, 희토류 원소, 또는 이들의 조합이며, Y1에서 실리콘은 제외된다
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제1항에서,상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질은 다공성인 것인 음극 활물질
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제1항에서,상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면은 비정질(amorphous), 결정질, 또는 결정질과 비정질이 혼합된 형태인 것인 음극 활물질
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제1항에서,상기 화학적 가교 고분자는 리튬 이온의 이동이 가능한 고분자인 음극 활물질
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제1항에서,상기 화학적 가교 고분자는 이미드(imide), 아크릴레이트(acrylate), 우레탄(urethane), 우레아(urea), 에테르(ether), 에스테르(ester), 아미드(amide), 술폭사이드(sulfoxide) 및 에폭시(epoxy)로 이루어진 관능기 중 하나 이상을 포함하는 고분자인 음극 활물질
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제1항에서,상기 화학적 가교 고분자는 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 또는 이의 조합인 음극 활물질
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제1항에서,상기 화학적 가교 고분자는 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질 100 중량부에 대하여 0
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제1항에서,상기 제2 코팅층의 두께는 1nm 내지 500nm인 음극 활물질
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제1항에서,상기 음극 활물질의 평균 입경은 10nm 내지 100㎛인 음극 활물질
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제1항에서,상기 음극 활물질은 다공성인 음극 활물질
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 음극 활물질을 포함하는 음극,양극, 및전해액을 포함하는 전기 화학 소자
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제12항에서,상기 전기 화학 소자는 리튬 이차 전지인 전기 화학 소자
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리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 탄소재를 코팅하여 제1코팅층을 형성하는 단계;상기 제1 코팅층의 외곽에 가교 가능한 화합물을 코팅하는 단계; 및상기 가교 가능한 화합물을 화학적으로 가교시켜 제2 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에서,상기 탄소재는 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질 100 중량부에 대하여 1 내지 40 중량부 포함되는 것인 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에서,상기 가교 가능한 화합물은 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질 100 중량부에 대하여 0
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제14항에서,상기 가교 가능한 화합물은 폴리아믹산, 아크릴레이트 함유 모노머 또는 이들의 조합인 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에서,상기 가교 가능한 화합물을 코팅하는 단계는 상기 가교 가능한 화합물 및 용매를 혼합하여 고분자 용액을 제조하는 단계;리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 제1 코팅층이 형성된 물질을 상기 고분자 용액에 투입하는 단계, 및상기 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것인 음극 활물질의 제조 방법
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제18항에서,상기 용매는 물, 알코올, 아세톤, 테트라하이드로퓨람, 시틀로헥산, 사염화탄소, 클로로포름, 메틸렌클로라이드, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, 디메틸술폭사이드, N-메틸피롤리돈, 또는 이들의 조합인 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에서,상기 가교 가능한 화합물을 화학적으로 가교시켜 제2 코팅층을 형성하는 단계는상기 가교 가능한 화합물의 열 가교, 또는 자외선 가교를 통해 수행되는 것인 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에서,상기 제2 코팅층은 이미드(imide), 아크릴레이트(acrylate), 우레탄(urethane), 우레아(urea), 에테르(ether), 에스테르(ester), 아미드(amide), 술폭사이드(sulfoxide) 및 에폭시(epoxy)로 이루어진 관능기 중 하나 이상을 함유하는 화학적 가교 고분자를 포함하는 것인 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에서,제2 코팅층의 두께는 1nm 내지 500nm인 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에서,상기 음극 활물질의 평균 입경은 10nm 내지 100㎛인 음극 활물질의 제조 방법
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제14항 내지 제23항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된 음극 활물질을 포함하는 음극,양극, 및전해액을 포함하는 전기 화학 소자
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제24항에서,상기 전기 화학 소자는 리튬 이차 전지인 전기 화학 소자
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