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가스센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015203357
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스센서 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 (a)기판의 상면에 포토레지스트로 서로 이격된 한쌍의 포토레지스트전극을 형성하는 단계와, (b)상기 (a)단계에 의해 형성된 상기 한쌍의 포토레지스트전극 상부를 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계와, (c)상기 (a)단계 및 (b)단계에 의해 형성된 상기 한쌍의 포토레지스트전극 및 상기 나노와이어를 열분해하여 탄소전극들과 상기 포토레지스트와이어로 변환하는 단계와, (d)상기 (c)단계에 의해 변환된 상기 탄소와이어의 표면에 금속산화물 나노와이어를 형성하는 단계로 이루어져, 종래 기판에 부착된 형태의 금속산화물 나노와이어 기반 가스센서가 가지는 기판으로 부터의 영향에 의한 감도 감소 및 노이즈 문제를 해결하고 금속산화물 나노와이어가 코팅된 탄소와이어 표면 전체를 감지부로 사용하며, 탄소와이어와 탄소전극과의 접촉이 물리적, 전기적으로 안정되고, 탄소와이어의 위치, 개수, 구조 등의 형태를 자유롭게 제어할 수 있으며, 금속산화물 나노와이어를 줄열을 이용해 탄소와이어에만 국부적으로 성장시킬 수 있으며, 금속산화물 나노와이어가 집적된 탄소와이어 기반의 센서의 생산 비용이 적으며 생산성이 획기적으로 높여 대량생산이 가능한 가스센서 제조방법을 제공한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 33/00 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020130104584 (2013.09.02)
출원인 울산과학기술원, 에스케이이노베이션 주식회사
등록번호/일자 10-2125278-0000 (2020.06.16)
공개번호/일자 10-2015-0026151 (2015.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20200622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.03)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 에스케이이노베이션 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신흥주 대한민국 울산 울주군
2 허정일 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 임영진 대한민국 부산 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층
2 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
4 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이이노베이션 주식회사 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0797430-31
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0109759-36
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0886670-47
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0666307-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511160-94
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0870480-33
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5260828-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5263004-74
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0905531-65
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0156807-70
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0156819-17
14 등록결정서
Decision to grant		 2020.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0390712-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)기판의 상면에 포토레지스트로 서로 이격된 한쌍의 포토레지스트전극을 형성하는 단계; (b)상기 (a)단계에 의해 형성된 상기 한쌍의 포토레지스트전극 상부를 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계; (c)상기 (a)단계 및 (b)단계에 의해 형성된 상기 한쌍의 포토레지스트전극 및 상기 포토레지스트와이어를 열분해하여, 서로 연결되어 일체화된 탄소전극들과 탄소와이어로 변환하는 단계; 및 (d)상기 (c)단계에 의해 변환된 상기 탄소와이어의 표면에 금속산화물나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 가스센서 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 (a)단계는(a-1)실리콘웨이퍼로 된 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계; (a-2)상기 (a-1)단계에 의해 형성된 상기 절연층 상에 포토레지스트를 1차 도포하는 단계; 및 (a-3)상기 (a-2)단계에 의해 상기 포토레지스트가 도포된 상기 절연층의 상부에 포토레지스트전극 영역의 형태가 타공된 제1포토마스크를 위치한 후 자외선으로 1차 노광하는 단계를 더 포함하는 가스센서 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 (b)단계는 (b-1)상기 (a)단계에 의해 상면에 전극 형태로 자외선이 노광된 포토레지스트층 상부에 해당 포토레지스트와이어 형태로 타공된 제2포토마스크를 위치한 후 자외선으로 2차 노광하는 단계; 및(b-2)상기 (a-3)과 (b-1)에 의해 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 현상하여 제거해, 상기 서로 이격된 한쌍의 포토레지스트전극의 상부를 서로 연결하는 포토레지스트와이어를 형성하는 단계를 더 포함하는 가스센서 제조방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 (b)단계에서상기 포토레지스트와이어는 선형의 단일 와이어 또는 복수의 와이어가 집합된 어레이(array), 메시(mesh) 또는 허니콤(honey comb) 형상 중 어느 한 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 (d)단계는 (d-1)상기 (c)단계에 의해 변환된 상기 탄소전극 및 탄소와이어 표면에 금속산화물 씨앗층(seed layer)을 코팅하는 단계; (d-2)상기 (d-1)단계에 의해 금속산화물 씨앗층이 코팅된 탄소구조물들을 금속산화물 수용액이 수용된 압력용기에 넣어 지정 온도 이상 가열하여, 상기 씨앗층 상에 단결정 금속산화물나노와이어를 성장시키는 단계를 더 포함하는 가스센서 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 (d-1)단계에서상기 금속산화물 씨앗층의 코팅은 금속산화물 나노파티클(nanoparticle)을 포함하는 용액을 기판 전체에 도포하여, 코팅하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서,상기 (d-1)단계에서상기 금속산화물 씨앗층의 코팅은 화학기상증착법(chemical vapor deposition)인 원자층증착법(atomic layer deposition)으로 금속산화물을 코팅하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
8 8
청구항 5에 있어서,상기 (d-1)단계에서상기 금속산화물 씨앗층의 코팅은 물리기상증착법(physical vapor deposition)인 서퍼트링(sputtering)으로 금속산화물을 코팅하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서,상기 (d-1)단계에서상기 금속산화물 씨앗층의 코팅은 상기 탄소전극 및 상기 탄소와이어에 금속 박막을 기상증착한 후 금속 박막을 산화시켜 금속산화물씨앗층을 형성하여, 코팅하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
10 10
청구항 5에 있어서,상기 (d-2) 단계에서 탄소와이어의 온도만 선택적으로 증가시켜, 국부적으로 금속산화물나노와이어를 탄소와이어 표면에만 성장시키는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
11 11
절연층이 포함되는 기판 상면에 서로 이격 형성되는 한쌍의 탄소전극;상기 한 쌍의 탄소전극 상부를 서로 연결하는 탄소와이어; 및상기 탄소와이어의 표면에 배치된 금속산화물나노와이어를 포함하고, 상기 금속산화물나노와이어는 가스 농도에 따라 전기전도도가 변화하는 가스센서
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1 KR102131412 KR 대한민국 FAMILY
2 US10132768 US 미국 FAMILY
3 US20160169824 US 미국 FAMILY
4 WO2015030528 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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