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a) 셀레늄 나노와이어가 분산된 분산액에 티올기를 함유하며 히드록시기 또는 카르복시기를 함유하는 링커화합물을 투입한 후 초음파 인가하여, 금속산화물 전구체의 화학 흡착(chemisorption) 장소를 제공하는 링커화합물의 자기결합 단분자층이 형성된 셀레늄 나노와이어를 제조한 후, 제조된 상기 링커화합물의 자기결합 단분자층이 형성된 셀레늄 나노와이어, 금속산화물 전구체, C1-C5의 저급알콜 및 물을 함유하는 혼합액을 제조하는 단계;b) 상기 혼합액을 수열반응시켜 상기 셀레늄 나노와이어 표면에 금속산화물층이 형성된 나노와이어-금속산화물 나노튜브 복합체를 제조하는 단계; 및c) 상기 나노와이어-금속산화물 나노튜브 복합체의 셀레늄 나노와이어를 제거하여 금속산화물 나노튜브를 제조하는 단계;를 포함하는 금속산화물 나노튜브의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속산화물 전구체의 금속은 Sn, Zn 및 Ti에서 하나 이상 선택된 것이며, 상기 금속산화물 전구체는 금속알콕사이드, 금속아세테이트, 금속할라이드, 금속옥시설페이트 및 이들의 함수물에서 하나 이상 선택된 것인 금속산화물 나노튜브의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 수열반응은 110 내지 130℃의 온도로 수행되는 금속산화물 나노튜브의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 c) 단계에서 셀레늄 나노와이어는 열적 승화에 의해 제거되는 금속산화물 나노튜브의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 a) 단계의 상기 혼합액은 상기 링커화합물의 자기결합 단분자층이 형성된 셀레늄 나노와이어가 C1-C5의 저급 알코올에 분산된 자기결합 단분자층이 형성된 셀레늄 나노와이어 분산액에 금속산화물 전구체가 C1-C5의 저급 알코올에 용해된 전구체액을 혼합한 후, 상기 자기결합 단분자층이 형성된 셀레늄 나노와이어 분산액과 전구체액이 혼합된 액에 물을 첨가하여 제조되는 금속산화물 나노튜브의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 자기결합 단분자층이 형성된 셀레늄 나노와이어 분산액과 상기 전구체액의 혼합시, 셀레늄나노와이어 1g에 대하여, 5 내지 30μMole의 금속산화물 전구체가 혼합되는 금속산화물 나노튜브의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 자기결합 단분자층이 형성된 셀레늄 나노와이어 분산액과 상기 전구체액이 혼합된 액의 저급 알코올 : 첨가되는 물의 부피비는 1 : 0
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