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TAGS계 열전 소자 재료용 원료를 제공하는 단계; 상기 TAGS계 열전 소자 재료용 원료를 가스 아토마이제이션을 이용하여 급속 응고하여 TAGS계 분말을 형성하는 단계; 및 상기 TAGS계 분말을 성형하여 TAGS계 열전 소자 재료를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 TAGS계 열전 소자 재료는 5% 이상 15% 미만의 AgSbTe2 상과 85% 초과 95% 이하의 GeTe 상을 포함하는, 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 열전 소자 재료를 형성하는 단계는, 열간 압출법 또는 스파크 플라즈마 소결법을 이용하여 수행되는, 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 열전 소자 재료는 GeTe 상 내에 AgSbTe2 상이 고용된 물질인, 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 열전 소자 재료는 분리된 (024) 회절피크와 (220) 회절피크를 가지는, 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 열전 소자 재료는 1
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 열전 소자 재료는 2
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 분말을 형성하는 단계는,650℃ 내지 800℃의 용탕 온도, 3 mm 내지 10 mm의 노즐 내경, 10도 내지 20도의 노즐 분사 각도, 5 bar 내지 10 bar의 분사 가스 압력으로 수행되는, 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 분말은 1 ㎛ 내지 200 ㎛ 범위의 입자 크기 및 26 ㎛ 내지 34 ㎛ 범위의 평균 입자 크기를 가지는, 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 분말은 입자 크기가 커짐에 따라 증가된 크기의 결정립을 가지는, 열전 소자 재료의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 TAGS계 분말은 0
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청구항 1 내지 10 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 형성하고, 5% 이상 15% 미만의 AgSbTe2 상과 85% 초과 95% 이하의 GeTe 상을 포함하는, 열전 소자 재료
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상부 절연 기판;상기 상부 절연 기판에 대향하여 위치하는 하부 절연 기판;상기 상부 절연 기판에 패턴화되어 위치한 상부 전극;상기 하부 절연 기판에 패턴화되어 위치한 하부 전극;상기 상부 전극과 상기 하부 전극에 상호 접촉 하여 위치한 p형 열전소자; 및상기 상부 전극과 상기 하부 전극에 상호 접촉 하여 위치하고 상기 p형 열전소자와 교번하여 위치하는 n형 열전소자;를 포함하고, 상기 p형 열전소자, 상기 n형 열전소자 또는 이들 모두는 제 11 항의 열전 소자 재료를 포함하는, 열전 소자 장치
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