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ITO(indium tin oxide)로 이루어진 음극(cathode);상기 음극(cathode) 상에 형성되며 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2,yl)benzene)로 이루어진 제1전자수송물질과 2-(2-메톡시페닐)-1,3-디메틸-2,3-디히드로-1H-벤조이미다졸로 이루어진 n형 도펀트를 포함하는 하부 전자수송층;상기 하부 전자수송층 상에 형성되며 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2,yl)benzene)로 이루어진 제2전자수송물질을 포함하는 상부 전자수송층;상기 상부 전자수송층 상에 형성되며 4,4-N,N´-디카바졸-비페닐(CBP) 및 Ir(ppy)3로 이루어진 발광층;상기 발광층 상에 형성되며 1,1-비스-(4-비스(4-메틸-페닐)-아미노-페닐)-시클로헥산으로 이루어진 정공수송층; 및상기 정공수송층 상에 형성된 알루미늄(Al)으로 이루어진 양극(anode);를 포함하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 n형 도펀트의 함량이 상기 하부 전자수송층 재료의 총중량을 기준으로 0
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제1항에 있어서,상기 하부 전자수송층이 상기 n형 도펀트를 함유하는 제1층 및 상기 제1층 상에 형성되며 상기 제1전자수송물질을 함유하는 제2층을 포함하는 이중층(bilayer)인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 하부 전자수송층과 상기 상부 전자수송층의 두께의 합이 200 내지 1500Å인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 하부 전자수송층이 상기 음극(cathode)와 접하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 음극(cathode)와 상기 하부 전자수송층 간의 에너지 장벽이 0
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제1항에 있어서,상기 정공수송층 상에 형성된 정공주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드
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기판 상에 ITO(indium tin oxide)로 이루어진 음극(cathode)를 형성하는 단계; 상기 음극(cathode) 상에 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2,yl)benzene)로 이루어진 제1전자수송물질 및 2-(2-메톡시페닐)-1,3-디메틸-2,3-디히드로-1H-벤조이미다졸로 이루어진 n-형 도펀트를 포함하는 하부 전자수송층을 형성하는 단계;상기 하부 전자수송층 상에 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2,yl)benzene)로 이루어진 제2전자수송물질을 포함하는 상부 전자수송층을 형성하는 단계;상기 상부 전자수송층 상에 4,4-N,N´-디카바졸-비페닐(CBP) 및 Ir(ppy)3로 이루어진 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 1,1-비스-(4-비스(4-메틸-페닐)-아미노-페닐)-시클로헥산으로 이루어진 정공수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공수송층 상에 알루미늄(Al)으로 이루어진 양극(anode)을 형성하는 단계;를 포함하는 역구조 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제1항 및 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항의 역구조 유기 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 장치
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