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초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기

  • 기술번호 : KST2015204081
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 냉매의 증발을 최소화하여 실험자의 실험환경을 양호하게 보존하고 냉매의 사용량을 줄일 수 있어 경제적인 이익을 창출하고, 외부 마그넷과 측정 샘플이 설치되는 공간을 분리함으로써 측정 샘플 주위에서 냉매의 버블 현상이 발생되는 것을 방지하고, 실험자가 원하는 조건을 조성하기 위해 경우에 따라 별도의 코일을 추가적으로 용이 설치가 가능하여 다양한 자계의 방향이나 세기의 변화를 가능하도록 하고, 전기적 측정법과 냉매 증발법 중 어느 하나를 자유롭게 선택하여 교류 손실을 측정할 수 있도록 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기에 관한 것으로서, 측정 샘플인 초전도체의 전체손실을 측정하는 장치를 수용하기 위한 저온 용기에 있어서, 외벽부와 내벽부를 가지는 진공층이 형성되고, 1차 용기 플랜저에 의해 기밀이 유지되는 1차 용기; 외벽부와 내벽부를 가지는 진공층이 형성되고, 초전도체 전체손실 측정 장치를 수용하기 위한 공간부가 형성되고, 2차 용기 플랜지에 의해 기밀이 유지되고, 상기 1차 용기 내부에 설치되는 2차 용기;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.초전도체, 교류손실, 전체손실, 저온용기, 손실측정
Int. CL G01R 33/34 (2006.01.01) G01R 33/12 (2006.01.01) H01L 39/04 (2006.01.01) H01F 6/04 (2006.01.01)
CPC G01R 33/34(2013.01) G01R 33/34(2013.01) G01R 33/34(2013.01) G01R 33/34(2013.01)
출원번호/일자 1020070036306 (2007.04.13)
출원인 순천향대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0831965-0000 (2008.05.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천향대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차귀수 대한민국 서울특별시 광진구
2 이희준 대한민국 충북 청주시 상당구
3 임형우 대한민국 충청남도 아산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 우광제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-* (역삼동, 신도빌딩) *층(유리안국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 박상용 경기도 부천시 원미구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0282869-28
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0519034-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014564-33
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0238406-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2016-0013703-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5248644-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
측정 샘플인 초전도체의 전체손실을 측정하는 장치를 수용하기 위한 저온 용기에 있어서,외벽부와 내벽부를 가지는 진공층이 형성되고, 1차 용기 플랜저에 의해 기밀이 유지되는 1차 용기;외벽부와 내벽부를 가지는 진공층이 형성되고, 초전도체 전체손실 측정 장치를 수용하기 위한 공간부가 형성되고, 2차 용기 플랜저에 의해 기밀이 유지되고, 상기 1차 용기 내부에 설치되는 2차 용기;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기
2 2
제 1항에 있어서,상기 2차 용기의 외벽에 초전도체에 외부 자계를 인가하기 위한 마그넷이 설치되는 것을 특징으로 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기
3 3
제 2항에 있어서,상기 1차 용기의 진공층에 슈퍼 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기
4 4
제 2항에 있어서,상기 2차 용기의 외벽에 방열판이 설치되는 것을 특징으로 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기
5 5
제 2항에 있어서,상기 1차 용기에 냉매 공급관이 형성되는 것을 특징으로 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기
6 6
제 2항에 있어서,상기 2차 용기 플랜지에 질소 가스를 유출시키기 위한 가스 유출 밸브가 형성되는 것을 특징으로 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기
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국가 R&D 정보가 없습니다.