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MTCMOS 회로를 구비한 동적 논리 회로 및 동적 논리회로의 인버터

  • 기술번호 : KST2015204544
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MTCMOS 회로를 구비한 동적 논리 회로에 관한 것으로, 제1 클럭 신호에 따라 제1 노드를 제1 전압으로 프리차지하는 프리차지 트랜지스터; 상기 제1 노드에 연결되고, 상기 제1 클럭 신호와 하나 이상의 논리 입력 신호를 받도록 연결되어, 상기 제1 클럭 신호 및 논리 입력 신호에 따라 제1 노드에 제2 전압을 유도하도록 동작하는 평가회로; 및 제1 노드에 연결된 입력단자와 출력 노드에 연결된 출력단자를 구비하고, 제1 전압 노드 및 제2 전압 노드의 사이에 설치되어, 제2 클럭 신호에 따라 도통상태가 제어되어 입력 신호를 반전하여 출력하는 인버터를 구비하되, 상기 인버터는 하이 임계전압(high-VT) 트랜지스터와 로우 임계전압(low-VT) 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성을 구비함으로써, 회로의 누설전류를 크게 증가시키지 않으면서도 회로의 동작 속도를 향상시킬 수 있어, 전력소모 대비 회로의 동작 속도 개선의 효과를 극대화할 수 있게 된다. CMOS, MTCMOS, 인버터, 평가, 프리차지
Int. CL H03K 19/00 (2006.01.01) H03K 19/017 (2006.01.01) H03K 3/356 (2006.01.01)
CPC H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020080007683 (2008.01.24)
출원인 명지대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0951102-0000 (2010.03.29)
공개번호/일자 10-2009-0081687 (2009.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20100407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 명지대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정태경 대한민국 경기 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)
2 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울여자대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0061324-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0077661-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5048837-01
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0446118-87
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0697485-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0798122-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0798120-33
9 등록결정서
Decision to grant
2010.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0097147-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2019-5194058-21
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5014795-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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게이트 단자, 소스 단자, 및 드레인 단자로 이루어진 MOS 구조 트랜지스터들을 이용한 MTCMOS 구조의 동적 논리 회로에 있어서, 게이트 단자가 제1 클럭 신호에 연결되고 나머지 두단자가 제1 전압 노드와 제1 노드 사이에 연결되는 제1 트랜지스터, 및 게이트 단자가 출력 노드에 연결되고 나머지 두단자가 상기 제1 전압 노드와 상기 제1 노드 사이에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 클럭 신호에 따라 상기 제1 노드에 제1 전압으로 프리차지하는 프리차지 트랜지스터부; 상기 제1 노드와 제2 전압 노드 사이에 연결되고, 하나 이상의 논리 입력 신호와 상기 제1 클럭 신호에 따라 상기 제1 노드에 제2 전압을 유도하는 평가회로용 복수의 트랜지스터들; 및 상기 제1 전압 노드 및 상기 제2 전압 노드 사이에 연결되고, 상기 제1 노드에 연결된 입력단자와 출력 노드에 연결된 출력단자를 구비하며, 상기 제1 클럭 신호와 비동기 클럭 신호인 제2 클럭 신호에 따라 동작하는 인버터를 구비하며, 상기 인버터는, 게이트 단자가 상기 제2 클럭 신호에 연결되고, 나머지 두단자가 상기 제1 전압 노드와 제2 노드 사이에 연결된 제3 트랜지스터; 게이트 단자가 상기 제1 노드에 연결되고, 나머지 두단자가 상기 제2 노드와 상기 출력 노드 사이에 연결된 제4 트랜지스터; 게이트 단자가 상기 제1 노드에 연결되고, 나머지 두단자가 상기 출력 노드와 제3 노드 사이에 연결된 제5 트랜지스터; 및 게이트 단자가 상기 제2 클럭 신호에 연결되고, 나머지 두단자가 상기 제3 노드와 상기 제2 전압 노드 사이에 연결된 제6 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 클럭 신호와 상기 제2 클럭 신호가 모두 비활성화 상태이면 상기 제1 노드를 프리차지 전압으로 동작시키고, 상기 제1 클럭 신호가 비활성화 상태이고 상기 제2 클럭 신호가 액티브 상태이면 상기 제1 노드가 상기 프리차지 전압을 유지하며, 상기 제1 클럭 신호가 액티브 상태이고 상기 제2 클럭 신호가 비활성화 상태이면 상기 인버터가 동작하여 상기 출력 노드로 상기 논리 입력 신호에 대응되는 신호를 출력하고, 상기 제1 클럭 신호와 상기 제2 클럭 신호가 모두 액티브 상태이면 상기 출력 노드에 상기 논리 입력 신호에 대응되는 신호를 유지하며, 누설 전류를 줄이고 동작속도를 높이기 위하여, 상기 제4 트랜지스터만이 낮은 임계전압을 갖고, 상기 프리차지 트랜지스터부, 상기 평가회로용 복수의 트랜지스터들, 및 상기 인버터를 구성하는 다른 트랜지스터들은 상기 제4 트랜지스터 보다 높은 임계전압을 갖는 것을 특징으로 하는 동적 논리 회로
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제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3, 4, 6 트랜지스터는 PMOS 구조이고, 상기 평가회로용 복수의 트랜지스터들과 상기 제5 트랜지스터는 NMOS 구조인 것을 특징으로 하는 동적 논리 회로
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제1 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3, 4, 6 트랜지스터는 NMOS 구조이고, 상기 평가회로용 복수의 트랜지스터들과 상기 제5 트랜지스터는 PMOS 구조인 것을 특징으로 하는 동적 논리 회로
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제2 항에 있어서, 상기 제1 전압 노드에는 전원 전압이 인가되고, 상기 제2 전압 노드에는 접지 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 동적 논리 회로
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제3 항에 있어서, 상기 제1 전압 노드에는 접지 전압이 인가되고, 상기 제2 전압 노드에는 전원 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 동적 논리 회로
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