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염산 수용액 내에서 화학적 에칭에 의하여 제조된 산화아연나노콘 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015204608
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염산 수용액 내에서 화학적 에칭에 의한 산화아연 나노콘의 제조방법으로, 기판 위에 산화아연 나노선 또는 산화아연 나노막대를 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 산화아연 나노선 또는 나노막대가 형성된 기판을 염산 수용액에 침적시키는 단계(단계 2)를 포함하는 산화아연 나노콘의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 산화아연 나노콘의 제조방법은 간단한 공정으로 산화아연 나노콘을 제조할 수 있기 때문에 저비용으로 단시간 내에 산화아연 나노콘을 대량생산할 수 있는 효과가 있다. 산화아연 나노콘, 산화아연 나노막대, 산화아연 나노선, 염산, 습식 화학 에칭
Int. CL C23F 1/30 (2006.01.01) C23F 1/16 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C23F 1/30(2013.01) C23F 1/30(2013.01) C23F 1/30(2013.01)
출원번호/일자 1020090006715 (2009.01.28)
출원인 명지대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1070314-0000 (2011.09.28)
공개번호/일자 10-2010-0087598 (2010.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20111006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 명지대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영진 대한민국 서울특별시 강남구
2 배준호 대한민국 서울특별시 중랑구
3 심이레 대한민국 서울특별시 강남구
4 박미나 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0054851-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5048837-01
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0069734-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0123921-40
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0333421-02
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0333419-10
8 등록결정서
Decision to grant
2011.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0545821-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2019-5194058-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5014795-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
염산 수용액 내에서 화학적 에칭에 의한 산화아연 나노콘의 제조방법으로서, 기판 위에 산화아연 나노선 또는 산화아연 나노막대를 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 산화아연 나노선 또는 나노막대가 형성된 기판을 염산 수용액에 침적시키는 단계(단계 2) 를 포함하는 산화아연 나노콘의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 2에서 산화아연 나노선 또는 나노막대가 형성된 기판을 침적시킨 염산 수용액을 교반하여 습식 화학 에칭과정을 수행하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서의 습식 화학 에칭과정을 완료한 후, 상기 산화아연 나노선 또는 나노막대가 형성된 기판을 염산 수용액으로부터 분리한 후 초순수로 세정하는 단계(단계 4) 를 추가적으로 포함하는 산화아연 나노콘의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노콘의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 염산 수용액은 산도가 2
5 5
제2항에 있어서, 상기 단계 3에서의 습식 화학 에칭과정은 실온에서 5분 내지 30분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노콘의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학부 명지대학교 나노메카트로닉스사업 다중층 폴리머를 활용한 저온/대면적 ZnO 자기조립 나노선 성장밀도 제어기술 개발