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유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA센서 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015204640
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서 및 제조방법이 제공된다. DNA 센서는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 부도체; 상기 게이트 부도체 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 트랜지스터 채널; 및 상기 트랜지스터 채널상에 형성된 DNA 프로브층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 프로브 DNA를 유기 박막 트랜지스터에 형성함으로써 사용자가 빠르게 물질을 검출할 수 있으며, 사용자에 의한 프로브 DNA 결합 시 발생할 수 있는 오염문제를 방지할 수 있다.
Int. CL C12Q 1/68 (2018.01.01) G01N 27/26 (2006.01.01)
CPC C12Q 1/6825(2013.01) C12Q 1/6825(2013.01) C12Q 1/6825(2013.01)
출원번호/일자 1020110013315 (2011.02.15)
출원인 명지대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0093630 (2012.08.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 명지대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정민 대한민국 전라남도 여수시 미평*길 **
2 샌딥 쿠말 자 대한민국 경기도 용인시 처인구
3 이동훈 대한민국 서울특별시 구
4 김용상 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0107575-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0022527-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0066638-21
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0280368-16
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0372444-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2019-5194058-21
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5014795-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 부도체;상기 게이트 부도체 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 트랜지스터 채널; 및상기 트랜지스터 채널상에 형성된 DNA 프로브층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서
2 2
제1 항에 있어서,상기 DNA 프로브층은 특정 물질과 상보 결합하는 프로브 DNA를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서
3 3
제2항에 있어서,탈이온수(DDI Water)에 포함된 상기 프로브 DNA를 상기 트랜지스터 채널에 분사하여 상기 DNA 프로브층을 형성하며, 상기 DNA 프로브층은 공기 건조에 의해 상기 트랜지스터 채널에 고정되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서
4 4
제2항에 있어서,상기 프로브 DNA는 ss(single standard) DNA 또는 20-mer probe 5''-GCA-AGT-ATC-GTT-TCC-ACC-GT-3''인것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 유리 재질이고, 상기 게이트 부도체는 알루미늄(Al) 재질이고, 상기 게이트 부도체는 폴리비닐 페놀(PVP) 재질이고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 금 (Au)재질이고 상기 트랜지스터 채널은 펜타신(pentacene) 재질인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서
6 6
기판 상에 형성된 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 부도체를 형성하는 단계;상기 게이트 부도체 상에 트랜지스터 채널을 형성하는 단계;상기 트랜지스터 양단에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 트랜지스터 채널상에 특정 물질과 상보 결합하는 프로브 DNA를 이용하여 DNA 프로브층 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 DNA 프로브층 형성하는 단계는탈이온수(DDI Water)에 포함된 상기 프로브 DNA를 상기 트랜지스터 채널에 분사하는 단계;상기 분사된 프로브 DNA를 건조시키는 단계; 및상기 건조된 프로브 DNA를 탈이온수를 통해 클리닝하여 상기 DNA 프로브층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 DNA 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 명지대학교 산학협력단 국가지정연구실 액상신호 탐침 검출법과 초미세 유체 제어 시스템을 접목한 샌체물질 분석용 범용 플랫폼 기술 개발