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니켈 나노콘 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015204683
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 니켈 나노콘을 선택적인 패턴으로 형성하는 방법에 관한 것으로서, 기판에 특정의 모양으로 표면이 노출된 시드층을 형성하는 시드층 형성 단계; 및 전해액 내에서 니켈 전극을 양극으로 한 전기도금 공정을 수행하여 특정의 모양으로 노출된 상기 시드층의 표면에 니켈 나노콘을 성장시키는 단계를 포함하여 구성되며, 상기 시드층이 fcc구조의 금속재질인 것을 특징으로 한다.본 발명은, 빠르고 간단한 포토리소그래피 공정과 전기도금 공정만으로 특정의 패턴으로 니켈 나노콘을 직접 형성함으로써, 니켈 나노콘 구조를 형성하는 비용을 혁신적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.그리고 특정 모양의 패턴으로 니켈 나노콘을 형성하기 때문에, 본 발명의 나노콘 형성공정을 종래의 반도체 공정의 일부로 편입시킬 수 있으며, 전체적인 반도체 공정과의 연계성을 높이고 제조된 디바이스의 효율을 높일 수 있다.나아가 공정비용이 저렴하기 때문에, 현재는 적용되지 않고 있는 새로운 분야에도 니켈 나노콘 구조체를 적용할 수 있을 것이다.
Int. CL C25D 7/12 (2006.01.01) C25D 3/12 (2006.01.01) C25D 5/02 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC C25D 7/123(2013.01) C25D 7/123(2013.01) C25D 7/123(2013.01) C25D 7/123(2013.01)
출원번호/일자 1020130007067 (2013.01.22)
출원인 명지대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0094755 (2014.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 명지대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영진 대한민국 서울 강남구
2 이규왕 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 강치중 대한민국 경기 용인시 수지구
4 심이레 대한민국 경기 안성시 아양로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0062794-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.25 수리 (Accepted) 9-1-2013-0098906-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0171701-86
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0443616-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0443617-59
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0660414-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1146219-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1146220-27
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0192783-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2019-5194058-21
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5014795-00
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번호 청구항
1 1
기판에 특정의 모양으로 표면이 노출된 시드층을 형성하는 시드층 형성 단계; 및전해액 내에서 니켈 전극을 양극으로 한 전기도금 공정을 수행하여 특정의 모양으로 노출된 상기 시드층의 표면에 니켈 나노콘을 성장시키는 단계를 포함하여 구성되며,상기 시드층이 fcc구조의 금속재질인 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 시드층 형성 단계가,기판의 전체에 시드층을 형성하는 단계; 및상기 시드층의 위에 패터닝된 마스크를 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 패터닝된 마스크를 형성하는 단계가,포토리소그래피 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 시드층이 Ni 또는 Cu 재질인 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 시드층을 형성하는 단계에서 상기 시드층을 50nm 이상의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 시드층을 형성하는 단계에 앞서서, 상기 기판과 상기 시드층의 접착력을 향상시키는 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 접착층이 Cr 재질인 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 전해액이 NiCl2·6H2O와 C2H10Cl2N2 및 H2BO3를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 NiCl2·6H2O를 대신하여 SnCl2·2H2O를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
10 10
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 전해액에 포함된 NiCl2·6H2O가 200g/L이고, C2H10Cl2N2가 200g/L이며, H2BO3가 35g/L인 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 전해액의 pH가 3
12 12
청구항 1에 있어서,상기 전기도금 공정을 수행하는 과정에서 상기 전해액의 온도가 50~70℃를 유지하는 것을 특징으로 하는 니켈 나노콘 패턴 형성방법
13 13
청구항 1에 있어서,상기 전기도금 공정을 수행하는 과정에서 인가되는 전류밀도가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 명지대학교 원천기술개발사업 저차원 멤리스터 기반 기억/연산 통합형 나노신경소자 및 시스템