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직류 전압 인가에 의한 산화아연 나노선의 전자방출능력 향상방법 및 산화아연 나노선을 사용한 디바이스의 전자방출능력 향상방법

  • 기술번호 : KST2015204745
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 나노선의 전자방출능력 향상방법 및 산화아연 나노선을 사용한 디바이스의 전자방출능력 향상방법에 관한 것이다. 본 발명은 필드 이미션 전자 방출원의 소재로 활용될 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법을 제공할 수 있을 뿐만 아니라 산화아연 나노선을 사용한 디바이스에 대해 별도의 복잡한 장치나 구성의 필요 없이 낮은 직류 전압을 인가함으로써 전자방출능력을 효율적이며 경제적으로 향상시킬 수 있는 방법을 제공할 수 있다. 산화아연 나노선, 전자 방출원, 직류 전압, 전자방출능력
Int. CL H01J 1/304 (2006.01.01)
CPC H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020090008621 (2009.02.03)
출원인 명지대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1072262-0000 (2011.10.05)
공개번호/일자 10-2010-0089397 (2010.08.12) 문서열기
공고번호/일자 (20111012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.03)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 명지대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영진 대한민국 서울특별시 강남구
2 배준호 대한민국 서울특별시 중랑구
3 심이레 대한민국 서울특별시 강남구
4 박미나 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0067624-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5048837-01
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0013813-15
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0156321-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0156320-36
6 등록결정서
Decision to grant
2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564806-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2019-5194058-21
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5014795-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 산화아연 나노선에 대하여 700 내지 1000 볼트(V) 범위의 직류 전압을 12 내지 24시간 동안 인가함으로써 산화아연 나노선에 부착된 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 전자방출능력 향상방법
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3 3
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4 4
산화아연 나노선을 디바이스에 장착하는 단계; 상기 디바이스에서 상기 산화아연 나노선을 음극으로 사용하여 양극과 음극으로 구성된 전자 회로를 구성하는 단계; 및 상기 전자 회로에 700 내지 1000 볼트(V) 범위의 직류 전압을 12 내지 24시간 동안 인가하는 단계 를 포함하는 산화아연 나노선을 사용한 디바이스의 전자방출능력 향상방법
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6 6
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7 7
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8 8
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학부 명지대 나노메카트로닉스사업 다중층 폴리머를 활용한 저온/대면적 ZnO 자기조립 나노선 성장밀도 제어기술 개발