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기판 상에 산화아연 시드층을 증착시키는 단계(단계 1);
기판 상에 산화아연 시드층을 증착시킨 후 포토리소그래피 공정을 통해 산화아연 시드층을 패터닝하는 단계(단계 2);
상기 패터닝된 산화아연 시드층이 형성된 기판을 과산화수소와 암모니아의 혼합용액에 침지시켜 패터닝되지 않는 부분의 산화아연 시드층을 습식 식각하는 단계(단계 3); 및
상기 습식 식각을 수행한 후 기판의 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시키는 단계(단계 4)를 포함하는, 습식 식각을 통해 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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청구항 1에 있어서,
상기 기판이 실리콘 기판, 플라스틱 기판 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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3
청구항 2에 있어서,
BOE(buffered oxide etchant) 용액을 사용하여 상기 실리콘 기판의 산화 실리콘층이 제거되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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4
청구항 1에 있어서,
상기 단계 1에서 산화아연 시드층이 RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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5
청구항 1에 있어서,
상기 단계 1에서 산화아연 시드층이 300Å 내지 1 ㎛의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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6
청구항 1에 있어서,
상기 단계 2에서 포토리소그래피 공정이,
기판 상의 산화아연 시드층에 포토레지스트층을 형성하고 소프트 베이크 공정을 수행한 후, 포토 마스크 필름을 사용한 노광공정을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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7
청구항 1에 있어서,
상기 단계 3에서 습식 식각 과정에서 사용하는 과산화수소와 암모니아의 혼합용액은 암모니아, 과산화수소, 탈이온수가 각각 1:1:10 ~ 1:1:2의 부피비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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8
청구항 7에 있어서,
상기 과산화수소와 암모니아의 혼합용액은 암모니아, 과산화수소, 탈이온수가 각각 1:1:5의 부피비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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청구항 1에 있어서,
상기 단계 3에서 습식 식각 과정을 수행한 후, 상기 기판을 초순수에 침지시켜 과산화수소와 암모니아의 혼합용액을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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10
청구항 1에 있어서,
상기 단계 4에서 상기 패터닝된 산화아연 시드층에 핫플레이트를 사용한 풀림 작업을 수행하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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11
청구항 1에 있어서,
상기 단계 4에서는 기판의 산화아연 시드층이 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate)와 헥사메틸렌테트라아민의 혼합용액과 반응될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법
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