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기준전압 발생회로

  • 기술번호 : KST2015204873
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 DRAM, Image Sensor, CPU, A/D Converter 등 반도체 집적회로 칩에서 전원전압, 온도 등이 변화하거나 제조공정의 변화가 있어도 저 전원전압(Supply Voltage) 조건에서 안정된 바이어스 전류나 바이어스 전압을 칩 내 여타의 회로에 공급할 수 있도록 하는 기준 전압 발생회로에 관한 것으로 특히 밴드갭 기준전압 발생회로에 있어서 저전원전압에도 동작 가능하도록 기준 전압 발생회로의 입력단을 구성하는 차동증폭단의 입력전압을 일정 부분 쉬프트하여 공급되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G11C 5/14 (2006.01)
CPC G05F 1/465(2013.01) G05F 1/465(2013.01) G05F 1/465(2013.01) G05F 1/465(2013.01)
출원번호/일자 1020040022433 (2004.03.31)
출원인 한국소프트웨어진흥원, 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0590598-0000 (2006.06.09)
공개번호/일자 10-2005-0096761 (2005.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국소프트웨어진흥원 대한민국 서울특별시 송파구
2 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 경상남도 마산시 합포구
2 이원재 대한민국 경남 마산시 회원구
3 김영희 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경남 창원시
2 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-0135163-96
2 출원인 변경 신고서
Applicant change Notification
2004.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0241073-94
3 출원인코드정정신청서
Request for Correction of Applicant Code
2005.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0290774-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0430653-24
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0624112-49
6 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0726582-43
7 등록결정서
Decision to grant
2006.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0139890-79
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0252606-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.07 수리 (Accepted) 4-1-2006-5110371-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.11.09 수리 (Accepted) 4-1-2006-5161001-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
밴드갭을 이용한 기준전압발생 회로에 있어서,음궤환 루프로부터 입력되는 전압을 갖는 차동 증폭단 회로;상기 차동 증폭단 회로 구성 내부의 전류원 회로에 바이어스하기 위한 바이어스 회로;상기 차동 증폭단 회로의 상기 음궤환 루프에 형성되어, 상기 차동 증폭단 회로의 입력 양단의 전압이 서로 같도록 조절하는 전압 레벨쉬프터;상기 바이어스 회로와 연결되며, 복수의 모스(MOS) 트랜지스터가 캐스코드 형태로 구성된 전류 미러 회로;상기 전류 미러 회로의 제1 출력단과 연결된 제1 바이폴라 트랜지스터, 상기 전류 미러 회로의 제2 출력단과 연결된 제2 바이폴라 트랜지스터를 구비하고, CMOS 제조공정에서 발생하는 기생 바이폴라 회로;상기 기생 바이폴라 회로의 제1 바이폴라 트랜지스터와 병렬로 연결된 제1 저항;상기 전류 미러 회로의 제2 출력단과 상기 제2 바이폴라 트랜지스터 사이에 연결된 제2 저항; 및 상기 전류 미러 회로의 제2 출력단과 접지 사이에 연결된 제3 저항;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
2 2
제 1항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터들의 에미터 면적의 비가 1:10 이상인 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
3 3
제 1항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터들의 에미터 전류값들은 상기 차동증폭단 회로로부터 전류 미러형식으로 전류가 제어되는 복수 개의 모스(MOS) 트랜지스터에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
4 4
제 1항에 있어서, 상기 전압 레벨쉬프터는 전류원과 접지에 연결된 모스(MOS) 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
5 5
제 1항에 있어서, 상기 전압 레벨 쉬프트의 입력 전압은 상기 차동증폭단 회로로부터 전류 미러형식으로 전류가 제어되는 모스(MOS) 트랜지스터 양단의 전류 값에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
6 6
제 1항에 있어서, 상기 전압 레벨 쉬프트의 입력전압은 상기 차동증폭단 회로로부터 전류 미러형식으로 전류가 제어되는 모스(MOS) 트랜지스터 양단의 전류가 복수 개의 직렬저항을 통해 흐를 때 발생하는 전압으로부터 분배된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
7 6
제 1항에 있어서, 상기 전압 레벨 쉬프트의 입력전압은 상기 차동증폭단 회로로부터 전류 미러형식으로 전류가 제어되는 모스(MOS) 트랜지스터 양단의 전류가 복수 개의 직렬저항을 통해 흐를 때 발생하는 전압으로부터 분배된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.