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와이드 스윙을 갖는 캐스코드 전류미러형 스타트-업 회로

  • 기술번호 : KST2015204877
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 와이드 스윙을 갖는 캐스코드 전류미러형 스타트-업(start-up) 회로는 전원전압(VDD)단에 소스가 연결되고, 게이트가 제1 바이어스 전압(Vbiasu)에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터; 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인 단에 소스가 연결되고, 게이트가 제2 바이어스 전압(Vbiasd)에 연결된 제2 PMOS 트랜지스터; 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인 단에 드레인과 게이트가 연결된 제1 NMOS트랜지스터와 상기 제1 NMOS트랜지스터의 게이트를 공통으로 하는 제2 NMOS트랜지스터로 구성된 전류미러; 상기 전류미러의 출력단인 상기 제2 NMOS트랜지스터의 드레인 단에 게이트가 연결되고, 드레인이 제1 바이어스 전압(Vbiasu)에 연결된 제3 NMOS트랜지스터; 상기 전류미러의 출력단인 상기 제2 NMOS트랜지스터의 드레인 단에 게이트가 연결되고, 드레인이 제2 바이어스 전압(Vbiasb)에 연결된 제4 NMOS트랜지스터; 상기 전원전압(VDD)단에 소스가 연결되고, 상기 제2 NMOS트랜지스터의 드레인 단에 드레인이 연결되고, 게이트에 Vpg 전압(전원전압(VDD)-문턱전압(△V))이 인가되는 제3 PMOS 트랜지스터; 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트 단에 게이트와 드레인이 연결되고, 전원전압(VDD)단에 소스가 연결된 제4 PMOS 트랜지스터; 및 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트 단에 드레인이 연결되고, 전원전압(VDD)단에 게이트가 연결된 제5 NMOS 트랜지스터;를 포함함을 특징으로 한다.
Int. CL G05F 3/26 (2006.01)
CPC G05F 3/205(2013.01) G05F 3/205(2013.01) G05F 3/205(2013.01)
출원번호/일자 1020060018735 (2006.02.27)
출원인 창원대학교 산학협력단, 한국소프트웨어진흥원
등록번호/일자 10-0671210-0000 (2007.01.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
2 한국소프트웨어진흥원 대한민국 서울특별시 송파구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시
2 이재형 대한민국 부산광역시 부산진구
3 김종희 대한민국 경남 마산시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경남 창원시
2 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0141195-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.08.07 수리 (Accepted) 4-1-2006-5110371-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.11.09 수리 (Accepted) 4-1-2006-5161001-18
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0073785-64
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0752161-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
와이드 스윙을 갖는 밴드갭 기준전압 발생회로에 적용되는 스타트-업(start-up) 회로에 있어서,전원전압(VDD)단에 소스가 연결되고, 게이트가 제1 바이어스 전압(Vbiasu)에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터;상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인 단에 소스가 연결되고, 게이트가 제2 바이어스 전압(Vbiasd)에 연결된 제2 PMOS 트랜지스터;상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인 단에 드레인과 게이트가 연결된 제1 NMOS트랜지스터와 상기 제1 NMOS트랜지스터의 게이트를 공통으로 하는 제2 NMOS트랜지스터로 구성된 전류미러;상기 전류미러의 출력단인 상기 제2 NMOS트랜지스터의 드레인 단에 게이트가 연결되고, 드레인이 제1 바이어스 전압(Vbiasu)에 연결된 제3 NMOS트랜지스터;상기 전류미러의 출력단인 상기 제2 NMOS트랜지스터의 드레인 단에 게이트가 연결되고, 드레인이 제2 바이어스 전압(Vbiasb)에 연결된 제4 NMOS트랜지스터;상기 전원전압(VDD)단에 소스가 연결되고, 상기 제2 NMOS트랜지스터의 드레인 단에 드레인이 연결되고, 게이트에 Vpg 전압(전원전압(VDD)-문턱전압(△V))이 인가되는 제3 PMOS 트랜지스터;상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트 단에 게이트와 드레인이 연결되고, 전원전압(VDD)단에 소스가 연결된 제4 PMOS 트랜지스터; 및 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트 단에 드레인이 연결되고, 전원전압(VDD)단에 게이트가 연결된 제5 NMOS 트랜지스터;를 포함함을 특징으로 하는 와이드 스윙을 갖는 캐스코드 전류미러형 스타트-업(start-up) 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되는 Vpg 전압은 상기 제4 PMOS 트랜지스터와 제5 NMOS 트랜지스터의 회로구성에 의해 생성됨을 특징으로 하는 스타트-업(start-up) 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.