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자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET 제조방법, 그 제조방법을 이용하여 제조된 공기 간극 FET, 및 그 공기 간극 FET를 이용한 센서 소자

  • 기술번호 : KST2015204969
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자기 (magnetic) 정렬법을 이용한 공기 간극 (air-gap) 전계효과 트랜지스터 (FET: Field Effect Transistor) 제조방법, 그 제조방법을 이용하여 제조된 공기 간극 FET, 및 그 공기 간극 FET를 이용한 센서 소자가 개시된다. 상기 자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET 제조방법은 ZnO 나노선을 c-plane 단결정 Al2O3 기판상에 형성하는 제 1 단계; 상기 기판상에 형성된 상기 ZnO 나노선을 Ni 증착으로 캐핑하는 제 2 단계; 식각 공정에 의하여 소자의 전극패턴을 형성하는 제 3 단계; 및 자기 정렬법을 이용하여 상기 공기 간극 FET를 제조하는 제 4 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/119 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020090078698 (2009.08.25)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1066432-0000 (2011.09.15)
공개번호/일자 10-2011-0021099 (2011.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이웅 대한민국 경기도 안양시 만안구
2 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0520244-00
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0223565-20
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0223651-59
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003942-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0129253-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0175285-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0175284-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
10 등록결정서
Decision to grant
2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0483591-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0757507-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
14 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
21 출원인정보변경(경정)신고서
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2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET (Field Effect Transistor) 제조방법으로서, ZnO 나노선을 c-plane 단결정 Al2O3 기판상에 형성하는 제 1 단계; 상기 기판상에 형성된 상기 ZnO 나노선을 Ni 증착으로 캐핑하는 제 2 단계; 식각 공정에 의하여 소자의 전극패턴을 형성하는 제 3 단계; 및 자기 정렬법을 이용하여 상기 공기 간극 FET를 제조하는 제 4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는 MOCVD법을 사용하여 수행되고, 상기 제 2 단계는 스퍼터링법을 이용하여 수행되며 상기 ZnO 나노선의 직경은 150nm이고 길이가 8μm인 것을 특징으로 하는 자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 SiO2/p-Si기판상에 스퍼터링을 이용한 금속 증착에 의한 전극 박막을 형성하는 단계와 식각 공정에 의한 매트릭스형 전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 4 단계는 상기 Ni 캐핑된 ZnO 나노선을 자기장 내에서, 개별 나노선을 부유시키기 충분한 시간 동안 초음파 처리 과정을 거쳐 이소프로필 알코올내 나노선을 침지함으로써 제조된 서스펜션을 가하여 분산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 자기장 내에서 도포되어 소자 패턴상에 정렬된 ZnO 나노선 양단상에 Ti/Au 상부전극을 DC마그네트론 스퍼터링을 이용하여 증착하고 식각공정을 거쳐 최종적인 상기 공기 간극 FET를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬법을 이용한 공기 간극 FET 제조 방법
6 6
제 1 항 내지 제 4 항의 공기 간극 FET 제조방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 공기 간극 FET
7 7
제 6 항의 공기 간극 FET를 이용한 것을 특징으로 하는 센서 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 / 한국과학재단 한국학술진흥재단 / 연세대학교 지역대학우수과학자 지원사업 / 특정기초연구 나노전자/바이오 응용을 위한 반도체 나노케이블의 합성 및 계면특성 분석에 관한 연구 / 융합공정기반 수직나노선 정렬구조제조 및 특성연구