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센싱 전압이 증가된 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015205009
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 센싱 전압이 증가된 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치에 관한 것이다. 이는 이퓨즈(eFuse, electrical Fuse) 방식을 사용하는 오티피(OTP, One-Time Programmable) 메모리 장치에 있어서, 프그램되지 않은 이퓨즈 셀(eFuse cell)은 이퓨즈 링크를 통해 흐르는 읽기 전류를 줄이면서, 프로그램된 이퓨즈 셀은 큰 비트라인신호(BL) 센싱 전압을 갖는 워드라인(WL, Word-Line) 전압 분배기 회로를 구비한다. 이에 따라 이퓨즈 셀의 센싱 오류를 방지할 수 있는 등의 현저한 효과를 제공한다.
Int. CL G11C 17/00 (2006.01)
CPC G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01) G11C 17/16(2013.01)
출원번호/일자 1020120099239 (2012.09.07)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1403499-0000 (2014.05.28)
공개번호/일자 10-2014-0033592 (2014.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20140701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지혜 대한민국 울산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)
2 고윤호 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0723879-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0055728-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0660136-91
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1073735-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1073733-13
8 등록결정서
Decision to grant
2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0202431-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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이퓨즈(eFuse, electriacl Fuse) 방식을 사용하는 오티피(OTP, One-Time Programmable) 메모리 장치에 있어서,상기 오티피 메모리 장치는 반전된 워드라인인에이블신호를 입력받는 워드라인(WL, Word-Line) 전압 분배기 회로; 및상기 워드라인(WL, Word-Line) 전압 분배기 회로의 출력신호를 받는 이퓨즈 셀;로 구성되며,상기 워드라인(WL, Word-Line) 전압 분배기 회로는상기 반전된 워드라인인에이블신호를 입력받아 반전하는 제1 인버터;상기 제1 인버터의 출력을 받아 반전하는 제2 인버터;제1 단자는 전원전압(VDD)과 연결되고, 제3 단자는 상기 제1 인버터의 출력을 받는 제1 트랜지스터;제1 단자는 상기 제1 트랜지스터의 제2 단자와 연결되고, 제3 단자는 제2 인버터의 출력을 받는 제2 트랜지스터;제1 단자는 상기 제2 트랜지스터의 제2 단자와 연결되고, 제2 단자는 가상접지(VSS)와 연결되며, 제3 단자는 상기 제2 인버터의 출력을 받는 제3 트랜지스터; 및제1 단자 및 제2 단자는 상기 가상접지(VSS)와 연결되고, 제3 단자는 상기 제1 트랜지스터의 제2 단자와 연결되는 제4 트랜지스터;를 구비하며,상기 제2 트랜지스터의 제2 단자에 읽기워드라인신호(RWL)가 출력되고,프로그램되지 않은 상기 이퓨즈 셀은 읽기(read)전류가 감소되고, 프로그램된 상기 이퓨즈 셀은 비트라인신호(BL) 센싱 전압을 받는 것을 특징으로 하는 센싱 전압이 증가된 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 이퓨즈 셀은제3 단자에 프로그램데이터신호(PD)가 입력되고, 제2 단자는 상기 가상접지(VSS)에 연결되는 제5 트랜지스터;제1 단자에 비트라인신호(BL)가 입력되고, 제2 단자에 상기 제5 트랜지스터의 제1 단자가 연결되고, 제3 단자에 상기 읽기워드라인신호(RWL)가 입력되는 제6 트랜지스터;제3 단자에 반전된 프로그램데이터신호(PDb)가 입력되고, 제2 단자는 상기 가상접지(VSS)에 연결되는 제7 트랜지스터;제1 단자에 반전된 비트라인신호(BLb)가 입력되고, 제2 단자에 상기 제7 트랜지스터의 제1 단자가 연결되고, 제3 단자에 상기 읽기워드라인신호(RWL)가 입력되는 제8 트랜지스터;제1 단자에 상기 제6 트랜지스터의 제2 단자가 연결되며, 제2 단자는 과전류전원(Fsource)이 입력되는 제1 이퓨즈; 및제1 단자에 상기 제8 트랜지스터의 제2 단자가 연결되며, 제2 단자는 상기 과전류전원(Fsource)이 입력되는 제2 이퓨즈;를 구비하는 것을 특징으로 하는 센싱 전압이 증가된 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치
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제 2항에 있어서, 프로그램된 상기 이퓨즈 셀에 입력되는 상기 프로그램데이터신호(PD)는 논리하이신호(5
4 4
제 3항에 있어서, 상기 워드라인(WL) 전압 분배기 회로는 읽기 모드시 상기 읽기워드라인신호(RWL, Read Word-Line)의 전압 보다 작은 전압을 공급함으로써 상기 제1 이퓨즈 및 상기 제2 이퓨즈를 통해 흐르는 상기 읽기 전류를 줄이고, 비트라인(BL) 감지증폭기에서의 상기 비트라인신호(BL) 센싱 전압을 증가시키는 것을 특징으로 하는 센싱 전압이 증가된 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치
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제 2항에 있어서, 상기 이퓨즈 셀은 8비트인 것을 특징으로 하는 센싱 전압이 증가된 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.