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산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자

  • 기술번호 : KST2015205088
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 관한 것이다. 무촉매 유기금속화학증착법(Metal Organic Chemical Vapour Deposition, MOCVD)에 의해서 제조되는 산화아연(ZnO) 나노선의 배열 기반의 품질 개선을 위해 알루미늄(Al)이 도핑 된 도체층을 더 구성하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 관한 것이다. 본 발명은 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 있어서, 규소 기판과, 백금 박막과, 알루미늄이 도핑된 산화아연 도체층과, 산화아연 나노선 배열층과, 세라믹 볼 이격부재와, 산화인듐주석 박막과, 유리층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자를 제공한다
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자 1020070127117 (2007.12.07)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0907921-0000 (2009.07.08)
공개번호/일자 10-2009-0059993 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.07)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이 웅 대한민국 경기 안양시 만안구
2 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
3 최희규 대한민국 부산 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 ** (역삼동) 뉴서울빌딩 *층(리앤김 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0883444-13
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0012207-59
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0056085-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0554953-05
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0907127-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0064748-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0064747-89
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0217989-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 있어서, 규소 기판과, 백금 박막과, 산화아연 나노선 배열층과, 세라믹 볼 이격부재와, 산화인듐주석 박막과, 유리층이 순차적으로 적층되고, 규소 기판 상에 알루미늄이 도핑 된 도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자
2 2
제1항에 있어서, 알루미늄이 도핑 된 도체층은 산화아연 나노선 배열층과 백금 박막 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자
3 3
제2항에 있어서, 백금 박막과 알루미늄이 도핑 된 도체층과 산화아연 나노선 배열층은 음극이고, 산화인듐주석 박막은 양극이고, 세라믹볼 이격부재는 음극과 양극간의 간격을 유지하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자
4 4
제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 도체층은 산화아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.